产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA16N50P
仓库库存编号：
IXTA16N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA16N50P
仓库库存编号：
IXFA16N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ16N50P
仓库库存编号：
IXTQ16N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 265W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT5024BLLG
仓库库存编号：
APT5024BLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC60N04S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPC60N04S4L06ATMA1-ND
别名：SP001161210
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR18N15DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR18N15DTRPBFCT-ND
别名：IRFR18N15DTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S404AKSA1-ND
别名：IPP80N04S4-04
IPP80N04S4-04-ND
SP000646196
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S404AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S404AKSA1-ND
别名：IPI80N04S4-04
IPI80N04S4-04-ND
SP000646190
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R280CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R280CEXKSA1-ND
别名：SP001391614
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220
型号：
AUIRFZ44Z
仓库库存编号：
AUIRFZ44Z-ND
别名：SP001520460
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRFZ44ZSTRL-ND
别名：SP001519700
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名：IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名：IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名：IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R199CPAATMA1
仓库库存编号：
IPB60R199CPAATMA1-ND
别名：SP000539966
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R199CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R199CPXKSA1-ND
别名：IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R280E6
仓库库存编号：
IPW60R280E6-ND
别名：IPW60R280E6FKSA1
SP000797382
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R199CP
仓库库存编号：
IPW60R199CP-ND
别名：IPW60R199CPFKSA1
IPW60R199CPX
IPW60R199CPXK
SP000089802
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740
仓库库存编号：
497-2931-5-ND
别名：497-2931-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
IRF630S
仓库库存编号：
IRF630S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI630G
仓库库存编号：
IRFI630G-ND
别名：*IRFI630G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） I2PAK
型号：
IRF630L
仓库库存编号：
IRF630L-ND
别名：*IRF630L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
IRF630STRL
仓库库存编号：
IRF630STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
IRF630STRR
仓库库存编号：
IRF630STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.8A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS7N03R2
仓库库存编号：
NTMS7N03R2OS-ND
别名：NTMS7N03R2OS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
含铅
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