以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7356ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7356ADP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK751R8-40E,127
  仓库库存编号：1727-7234-ND
  别名：1727-7234
  568-9838-5
  568-9838-5-ND
  934066479127
  BUK751R840E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 71A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 71A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6500_001
  仓库库存编号：AON6500_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 71A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 71A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6522_002
  仓库库存编号：AON6522_002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N04S303AKSA1
  仓库库存编号：IPI100N04S303AKSA1-ND
  别名：IPI100N04S3-03
  IPI100N04S3-03-ND
  SP000261223
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 61.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN5R6-100XS,127
  仓库库存编号：568-9496-5-ND
  别名：568-9496-5
  934066041127
  PSMN5R6-100XS,127-ND
  PSMN5R6-100XS127
  PSMN5R6100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R5-40EJ
  仓库库存编号：BUK761R5-40EJ-ND
  别名：934067767118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索