产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 120W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N10CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N10CP ROGDKR-ND
别名：TSM70N10CP ROGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 71A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 71A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6522
仓库库存编号：
785-1497-1-ND
别名：785-1497-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE882DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE882DF-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 48A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50P08-28_GE3
仓库库存编号：
SQD50P08-28_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P04-09L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P04-09L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7194DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7194DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7194DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N04-2M7_GE3
仓库库存编号：
SQM100N04-2M7_GE3-ND
别名：SQM100N04-2M7-GE3
SQM100N04-2M7-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N06-06_GE3
仓库库存编号：
SQM120N06-06_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 175W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP120N06-06_GE3
仓库库存编号：
SQP120N06-06_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 93A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 93A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N06-08H-E3
仓库库存编号：
SUD50N06-08H-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA24N60
仓库库存编号：
FQA24N60FS-ND
别名：FQA24N60-ND
FQA24N60FS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA300N04T2
仓库库存编号：
IXTA300N04T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA300N04T2-7
仓库库存编号：
IXTA300N04T2-7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH300N04T2
仓库库存编号：
IXTH300N04T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ96N20P
仓库库存编号：
IXTQ96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N20P
仓库库存编号：
IXTH96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH96N20P
仓库库存编号：
IXFH96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT96N20P
仓库库存编号：
IXTT96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXFT96N20P
仓库库存编号：
IXFT96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 37A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
型号：
APT37F50S
仓库库存编号：
APT37F50S-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 14A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT13F120S
仓库库存编号：
APT13F120S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1
型号：
APTM120H140FT1G
仓库库存编号：
APTM120H140FT1G-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S303AKSA1-ND
别名：IPP100N04S3-03
IPP100N04S3-03-ND
IPP100N04S303
SP000261227
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 96A（Tc） 600W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV96N20P
仓库库存编号：
IXFV96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7356ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7356ADP-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 145nC @ 10V,
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