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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80H29T3G
  仓库库存编号：APTC80H29T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 40.5W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI7446GPBF
  仓库库存编号：IRFI7446GPBF-ND
  别名：SP001560478
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S4H2AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N04S4H2AKSA1-ND
  别名：IPP100N04S4-H2
  IPP100N04S4-H2-ND
  SP000711278
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N04S4H2AKSA1
  仓库库存编号：IPI100N04S4H2AKSA1-ND
  别名：IPI100N04S4-H2
  IPI100N04S4-H2-ND
  SP000711282
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS33N15DTRLP
  仓库库存编号：IRFS33N15DTRLP-ND
  别名：SP001573500
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO263-5
  
  型号：BTS247ZE3062AATMA2
  仓库库存编号：BTS247ZE3062AATMA2-ND
  别名：SP000910846
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 165A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IAUT165N08S5N029ATMA2
  仓库库存编号：IAUT165N08S5N029ATMA2-ND
  别名：SP001585162
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450
  仓库库存编号：497-2735-5-ND
  别名：497-2735-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR12N100
  仓库库存编号：IXFR12N100-ND
  别名：Q1157068A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF19N60
  仓库库存编号：FQAF19N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 9.5A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 9.5A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF15N70
  仓库库存编号：FQAF15N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT17N80BC3G
  仓库库存编号：APT17N80BC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT17N80SC3G
  仓库库存编号：APT17N80SC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 160A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM160-0055P3
  仓库库存编号：GWM160-0055P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N80Q
  仓库库存编号：IXFH13N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT12N100Q
  仓库库存编号：IXFT12N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC13N80C
  仓库库存编号：IXKC13N80C-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80DDA29T3G
  仓库库存编号：APTC80DDA29T3G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80DSK29T3G
  仓库库存编号：APTC80DSK29T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC80H29T1G
  仓库库存编号：APTC80H29T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 35A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8048-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8048-HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8048-HTE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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  MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM100-01X1-SL
  仓库库存编号：GWM100-01X1-SL-ND
  
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  MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM100-01X1-SMD
  仓库库存编号：GWM100-01X1-SMD-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC15N80Q
  仓库库存编号：IXFC15N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7674DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7674DP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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