产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 169A（Tc） 500W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0630N150
仓库库存编号：
FDBL0630N150CT-ND
别名：FDBL0630N150CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN015-100B,118
仓库库存编号：
1727-4771-1-ND
别名：1727-4771-1
568-5949-1
568-5949-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB33N15DPBF
仓库库存编号：
IRFB33N15DPBF-ND
别名：*IRFB33N15DPBF
SP001566470
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），268W（Tc） TO-220
型号：
AOT266L
仓库库存编号：
785-1415-5-ND
别名：785-1415-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8.6A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP10NK70Z
仓库库存编号：
497-5893-5-ND
别名：497-5893-5
STP10NK70Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR844DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR844DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR844DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ420DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ420DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ420DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），78A（Tc） 2.1W（Ta），45.5W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF266L
仓库库存编号：
785-1443-5-ND
别名：785-1443-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.35W（Ta），50W（Tc） LPTS（SC-83）
型号：
RSJ400N10TL
仓库库存编号：
RSJ400N10TLCT-ND
别名：RSJ400N10TLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S4H2ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
别名：IPB100N04S4H2ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 50A
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-247
型号：
STW58N60DM2AG
仓库库存编号：
497-16131-5-ND
别名：497-16131-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号：
TSM089N08LCR RLGTR-ND
别名：TSM089N08LCR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号：
TSM089N08LCR RLGCT-ND
别名：TSM089N08LCR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号：
TSM089N08LCR RLGDKR-ND
别名：TSM089N08LCR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 90A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP90N55F4
仓库库存编号：
497-10399-5-ND
别名：497-10399-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB46NF30
仓库库存编号：
STB46NF30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.4A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
型号：
DMP3017SFK-13
仓库库存编号：
DMP3017SFK-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6548
仓库库存编号：
785-1628-2-ND
别名：785-1628-2
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR862DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR862DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR862DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 110V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN015-110P,127
仓库库存编号：
1727-4655-ND
别名：1727-4655
568-5772
568-5772-ND
934057141127
PSMN015-110P
PSMN015-110P,127-ND
PSMN015-110P-ND
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 30V 45A（Tc） 73.5W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP45P03-09-GE3
仓库库存编号：
SUP45P03-09-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 48A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR871DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR871DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR826DP-T1-RE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP17N60D-E3
仓库库存编号：
SIHP17N60D-E3-ND
别名：SIHP17N60DE3
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP17N60D-GE3
仓库库存编号：
SIHP17N60D-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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