产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD6N65ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65ET1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD6N65ET4-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65ET4-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD6N65ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65ET5-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 250V
详细描述：通孔 N 沟道 250V 37W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF33N25TRDTU
仓库库存编号：
FDPF33N25TRDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP6N65E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
型号：
TK20G60W,RVQ
仓库库存编号：
TK20G60WRVQCT-ND
别名：TK20G60WRVQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号：
DMNH4005SCTQ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCT
仓库库存编号：
DMNH4005SCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP15P15T
仓库库存编号：
IXTP15P15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-252
型号：
IXTY15P15T
仓库库存编号：
IXTY15P15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA15P15T
仓库库存编号：
IXTA15P15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHB12N50C-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 36W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHF12N50C-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP460P2
仓库库存编号：
IXTP460P2-ND
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无铅
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IXYS
500V POLAR2 HIPERFETS
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ24N50P2
仓库库存编号：
IXFQ24N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
不适用
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH460P2
仓库库存编号：
IXTH460P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-220
型号：
TK20E60W,S1VX
仓库库存编号：
TK20E60WS1VX-ND
别名：TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX
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无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
型号：
TK20N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK20N60WS1VF-ND
别名：TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268
型号：
IXFT6N100Q
仓库库存编号：
IXFT6N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名：SP000096469
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP15P10PHXKSA1
仓库库存编号：
SPP15P10PHXKSA1-ND
别名：SP000683160
SPP15P10P H
SPP15P10P H-ND
SPP15P10PH
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 25A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL25N15F4
仓库库存编号：
497-10105-1-ND
别名：497-10105-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.5A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB9N65A
仓库库存编号：
IRFB9N65A-ND
别名：*IRFB9N65A
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIB5N65A
仓库库存编号：
IRFIB5N65A-ND
别名：*IRFIB5N65A
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） I-Pak
型号：
NTD24N06-001
仓库库存编号：
NTD24N06-001OS-ND
别名：NTD24N06-001OS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
含铅
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