以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA6N65E-E3
  仓库库存编号：SIHA6N65E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7702
  仓库库存编号：785-1139-1-ND
  别名：785-1139-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD24N06T4G
  仓库库存编号：NTD24N06T4GOSCT-ND
  别名：NTD24N06T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：IPA093N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA093N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPA093N06N3 G
  IPA093N06N3 G-ND
  IPA093N06N3G
  SP000451088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 650V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12N65L
  仓库库存编号：785-1717-1-ND
  别名：785-1717-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA460P2
  仓库库存编号：IXTA460P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK20C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK20C60WS1VQ-ND
  别名：TK20C60W,S1VQ(S
  TK20C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP16CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP16CN10NGXKSA1-ND
  别名：IPP16CN10N G
  IPP16CN10N G-ND
  IPP16CN10NG
  IPP16CN10NGIN
  IPP16CN10NGIN-ND
  IPP16CN10NGX
  IPP16CN10NGXK
  SP000680880
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2705TRPBF
  仓库库存编号：IRLL2705PBFCT-ND
  别名：*IRLL2705TRPBF
  IRLL2705PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100Q
  仓库库存编号：IXFH6N100Q-ND
  别名：478547
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB6N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF6N65E-GE3-ND
  别名：SIHF6N65E-GE3CT
  SIHF6N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS5N15F4
  仓库库存编号：497-10106-1-ND
  别名：497-10106-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH POWERPAK8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 12A, 9A 3.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7540ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7540ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7540ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90220E-GE3
  仓库库存编号：SUP90220E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM90220E-GE3
  仓库库存编号：SUM90220E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 55W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5414NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5414NT4G-VF01-ND
  别名：NVD5414NT4G
  NVD5414NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.8W PowerDI5060-8
  
  型号：DMNH4005SPSQ-13
  仓库库存编号：DMNH4005SPSQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 54A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.7A（Ta），54A（Tc） 3.9W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5484NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5484NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD4810NT4G-VF01
  NVD5484NLT4G
  NVD5484NLT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4932DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4932DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N65
  仓库库存编号：AOT12N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF12N65
  仓库库存编号：AOWF12N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12N65
  仓库库存编号：AOTF12N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 12A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW12N65
  仓库库存编号：AOW12N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 34.4A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR690DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR690DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
• 搜索