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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR422DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR422DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR422DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19531Q5AT
  仓库库存编号：296-37749-1-ND
  别名：296-37749-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 235W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB33N25TM
  仓库库存编号：FDB33N25TMCT-ND
  别名：FDB33N25TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF33N25T
  仓库库存编号：FDPF33N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD088N06N3 G
  仓库库存编号：IPD088N06N3 GCT-ND
  别名：IPD088N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P G
  仓库库存编号：SPD30P06P GCT-ND
  别名：SPD30P06P GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N65APBF
  仓库库存编号：IRFB9N65APBF-ND
  别名：*IRFB9N65APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 1700V 2.5A
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 3W（Ta），55W（Tc） TO-3PF
  
  型号：WPH4003-1E
  仓库库存编号：WPH4003-1EOS-ND
  别名：WPH4003-1EOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW22N95K5
  仓库库存编号：497-14580-5-ND
  别名：497-14580-5
  STW22N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70N03S4L-04
  仓库库存编号：IPD70N03S4L-04CT-ND
  别名：IPD70N03S4L-04CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N65E-GE3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB5N65APBF
  仓库库存编号：IRFIB5N65APBF-ND
  别名：*IRFIB5N65APBF
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -40V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 22A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM150P04LCS RLG
  仓库库存编号：TSM150P04LCS RLGTR-ND
  别名：TSM150P04LCS RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -40V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 22A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM150P04LCS RLG
  仓库库存编号：TSM150P04LCS RLGCT-ND
  别名：TSM150P04LCS RLGCT
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -40V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 22A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM150P04LCS RLG
  仓库库存编号：TSM150P04LCS RLGDKR-ND
  别名：TSM150P04LCS RLGDKR
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc）
  
  型号：SIHP12N50C-E3
  仓库库存编号：SIHP12N50C-E3-ND
  别名：SIHP12N50C-E3CT
  SIHP12N50C-E3CT-ND
  
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7226-75A,118
  仓库库存编号：1727-7155-1-ND
  别名：1727-7155-1
  568-9638-1
  568-9638-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
  
  型号：MCQ4407-TP
  仓库库存编号：MCQ4407-TPMSCT-ND
  别名：MCQ4407-TPMSCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60W,S5VX
  仓库库存编号：TK20A60WS5VX-ND
  别名：ASTK20A60W,S5VX(M
  TK20A60W,S5VX(M
  TK20A60WS5VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK20V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK20V60WLVQCT-ND
  别名：TK20V60WLVQCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
  
  型号：AUIRLL2705TR
  仓库库存编号：AUIRLL2705TRCT-ND
  别名：AUIRLL2705TRCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD15P10PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD15P10PGBTMA1CT-ND
  别名：SPD15P10PGBTMA1CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 235W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP33N25
  仓库库存编号：FDP33N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ460P2
  仓库库存编号：IXTQ460P2-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65E-GE3-ND
  别名：SIHD6N65E-GE3CT
  SIHD6N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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