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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.6A, 7.9A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4569DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4569DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4942DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4942DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 28.4A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR432DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR432DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.5A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3427EEV-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ3427EEV-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ3427EEV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4718
  仓库库存编号：785-1295-1-ND
  别名：785-1295-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），41A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6424
  仓库库存编号：785-1344-2-ND
  别名：785-1344-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 18A, 31A 2W, 2.2W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6922
  仓库库存编号：AON6922-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4942DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4942DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4942DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4419_003
  仓库库存编号：AO4419_003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4419L
  仓库库存编号：AO4419L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.4A（Tc） 245W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT8N80L_001
  仓库库存编号：AOT8N80L_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7416_101
  仓库库存编号：AON7416_101-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 8A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM8N70CI C0G
  仓库库存编号：TSM8N70CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505
  仓库库存编号：IRFR5505-ND
  别名：*IRFR5505
  SP001573284
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5505
  仓库库存编号：IRFU5505-ND
  别名：*IRFU5505
  SP001552454
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505TRL
  仓库库存编号：IRFR5505TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505TRR
  仓库库存编号：IRFR5505TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 56W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3911PBF
  仓库库存编号：IRFU3911PBF-ND
  别名：*IRFU3911PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 45.1A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 45.1A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45NQ15T,127
  仓库库存编号：PHP45NQ15T,127-ND
  别名：934058106127
  PHP45NQ15T
  PHP45NQ15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2-23-ND
  别名：SP000013596
  SPD30N06S223T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505CPBF
  仓库库存编号：IRFR5505CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505CTRLPBF
  仓库库存编号：IRFR5505CTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 14A（Tc） 56W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3911TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR3911TRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 14A（Tc） 56W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3911TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3911TRPBF-ND
  别名：SP001560664
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S223ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N06S223ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N06S2-23
  IPD30N06S2-23-ND
  SP000252166
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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