以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta），52A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6450
  仓库库存编号：785-1230-1-ND
  别名：785-1230-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 36A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP36P06SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P06SLG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 37A DFN3.3X3.3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7220
  仓库库存编号：AON7220-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 88A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 88A（Tc） 140W（Tc） TO-220
  
  型号：TK42E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK42E12N1S1X-ND
  别名：TK42E12N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：MKE11R600DCGFC
  仓库库存编号：MKE11R600DCGFC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Ta），70A（Tc） 2.7W（Ta），125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2904
  仓库库存编号：785-1736-1-ND
  别名：785-1736-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB143NQ04T,118
  仓库库存编号：PHB143NQ04T,118-ND
  别名：934058537118
  PHB143NQ04T /T3
  PHB143NQ04T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP143NQ04T,127
  仓库库存编号：PHP143NQ04T,127-ND
  别名：934058538127
  PHP143NQ04T
  PHP143NQ04T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-15
  仓库库存编号：SPD30N06S2-15-ND
  别名：SP000012477
  SPD30N06S215T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S214ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S214ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S2-14
  IPD50N06S2-14-ND
  SP000252171
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索