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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NTRR
  仓库库存编号：IRFR9120NTRR-ND
  别名：SP001576116
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTR
  仓库库存编号：IRFR9N20DTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRL
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRR
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI07N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI07N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013521
  SPI07N60C3
  SPI07N60C3IN
  SPI07N60C3IN-ND
  SPI07N60C3X
  SPI07N60C3X-ND
  SPI07N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD07N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD07N60C3INCT
  SPD07N60C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105Z
  仓库库存编号：IRFR4105Z-ND
  别名：*IRFR4105Z
  SP001571602
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4105Z
  仓库库存编号：IRFU4105Z-ND
  别名：*IRFU4105Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTR
  仓库库存编号：IRFR4105ZTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRL
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRR
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9120NPBF
  仓库库存编号：IRFU9120NPBF-ND
  别名：*IRFU9120NPBF
  SP001568138
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9410PBF
  仓库库存编号：IRF9410PBF-ND
  别名：SP001575396
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60C3T
  仓库库存编号：SPD07N60C3XTINCT-ND
  别名：SPD07N60C3XTINCT
  
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI07N65C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI07N65C3HKSA1-ND
  别名：SP000014632
  SP000680982
  SPI07N65C3
  SPI07N65C3-ND
  SPI07N65C3IN
  SPI07N65C3IN-ND
  SPI07N65C3X
  SPI07N65C3XK
  
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP07N65C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP07N65C3HKSA1-ND
  别名：SP000014631
  SPP07N65C3
  SPP07N65C3-ND
  SPP07N65C3IN
  SPP07N65C3IN-ND
  SPP07N65C3X
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  MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7603TRPBF
  仓库库存编号：IRF7603TRPBFCT-ND
  别名：IRF7603TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520NSPBF
  仓库库存编号：IRF9520NSPBF-ND
  别名：SP001551696
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Ta） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NCPBF
  仓库库存编号：IRFR9120NCPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7105QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7105QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7105QTRPBFCT
  
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  MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9520NLPBF
  仓库库存编号：IRF9520NLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R600CP
  IPA60R600CP-ND
  SP000405884
  
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  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R600CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R600CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R600CP
  IPI60R600CP-ND
  SP000405896
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R600CP
  IPP60R600CP-ND
  SP000405888
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600CPATMA1CT-ND
  别名：IPB60R600CPCT
  IPB60R600CPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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