产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU4105ZTRL
仓库库存编号：
IRFU4105ZTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU4105ZTRR
仓库库存编号：
IRFU4105ZTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 500V 2A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
型号：
MTP2P50E
仓库库存编号：
MTP2P50EOS-ND
别名：MTP2P50EOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 500V 2A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
型号：
MTP2P50EG
仓库库存编号：
MTP2P50EGOS-ND
别名：MTP2P50EGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
型号：
FQD17P06TF
仓库库存编号：
FQD17P06TFCT-ND
别名：FQD17P06TFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8947A
仓库库存编号：
FDS8947A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXM64N03XTC
仓库库存编号：
ZXM64N03XTC-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），27A（Tc） 2.5W（Ta），37.8W（Tc） Power56
型号：
FDMS8690
仓库库存编号：
FDMS8690CT-ND
别名：FDMS8690CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 100V 8.2A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF12P10
仓库库存编号：
FQPF12P10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FQD12P10TF
仓库库存编号：
FQD12P10TF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FQD12P10TM
仓库库存编号：
FQD12P10TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 4.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6P25TM
仓库库存编号：
FQD6P25TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 250V 4.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） I-Pak
型号：
FQU6P25TU
仓库库存编号：
FQU6P25TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 6A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 250V 6A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6P25
仓库库存编号：
FQP6P25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 4.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6P25TF
仓库库存编号：
FQD6P25TF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 11.5A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB12P10TM
仓库库存编号：
FQB12P10TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 17A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） I2PAK
型号：
FQI17P06TU
仓库库存编号：
FQI17P06TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 17A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB17P06TM
仓库库存编号：
FQB17P06TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 60V 12A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF17P06
仓库库存编号：
FQPF17P06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 250V 4.2A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6P25
仓库库存编号：
FQPF6P25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 35A（Tc） 49.5W（Tc） TO-251AA
型号：
FDU8580
仓库库存编号：
FDU8580-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 35A（Tc） 49.5W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8580
仓库库存编号：
FDD8580CT-ND
别名：FDD8580CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4388DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4388DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4388DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
型号：
TPC8405(TE12L,Q,M)
仓库库存编号：
TPC8405(TE12L,Q,M)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 20A（Ta） 3.7W（Ta），31W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6782A
仓库库存编号：
FDD6782ACT-ND
别名：FDD6782ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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