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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），32A（Tc） 5W（Ta），26W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6576
  仓库库存编号：AON6576-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3469EV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3469EV-T1_GE3-ND
  别名：SQ3469EV-T1-GE3
  SQ3469EV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP202-TL-H
  仓库库存编号：869-1078-1-ND
  别名：869-1078-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR474DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR474DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 52A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），52A（Tc） 2.5W（Ta），75W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2908
  仓库库存编号：785-1478-1-ND
  别名：785-1478-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta），14A（Tc） 2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6458
  仓库库存编号：785-1363-1-ND
  别名：785-1363-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N10S4L22ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N10S4L22ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 33A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9A（Ta），33A（Tc） 2.1W（Ta），33W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF298L
  仓库库存编号：785-1382-5-ND
  别名：785-1382-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9A（Ta），58A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW298
  仓库库存编号：785-1379-5-ND
  别名：785-1379-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9A（Ta），58A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT298L
  仓库库存编号：785-1416-5-ND
  别名：785-1416-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1054DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1054DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK1054DPB-00#J5-ND
  RJK1054DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9410TRPBF
  仓库库存编号：IRF9410PBFTR-ND
  别名：IRF9410PBFTR
  IRF9410TRPBF-ND
  IRF9410TRPBFTR-ND
  SP001551686
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.8A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9520NPBF
  仓库库存编号：IRF9520NPBF-ND
  别名：*IRF9520NPBF
  Q5233848
  SP001554524
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR4105ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFR4105ZTRL-ND
  别名：SP001517348
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP07N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP07N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681030
  SPP07N60C3
  SPP07N60C3IN
  SPP07N60C3IN-ND
  SPP07N60C3X
  SPP07N60C3XK
  SPP07N60C3XTIN
  SPP07N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI07N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI07N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000680976
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：SPA07N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA07N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000216305
  SPA07N65C3
  SPA07N65C3IN
  SPA07N65C3IN-ND
  SPA07N65C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF620
  仓库库存编号：497-3135-ND
  别名：497-3135
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5N20T4
  仓库库存编号：497-6563-1-ND
  别名：497-6563-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9956A
  仓库库存编号：NDS9956ACT-ND
  别名：NDS9956ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.8A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9943
  仓库库存编号：NDS9943CT-ND
  别名：NDS9943CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64N03XTA
  仓库库存编号：ZXM64N03XTR-ND
  别名：ZXM64N03XTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 5.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9520N
  仓库库存编号：IRFI9520N-ND
  别名：*IRFI9520N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35V 4.8A（Ta），6.7A（Tc） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXM64N035GTA
  仓库库存编号：ZXM64N035GCT-ND
  别名：ZXM64N035GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU4105ZTR
  仓库库存编号：IRFU4105ZTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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