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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R8-40YLC,115
  仓库库存编号：1727-1052-1-ND
  别名：1727-1052-1
  568-10156-1
  568-10156-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR662DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR662DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR662DP-T1-GE3CT
  SIR662DPCT
  SIR662DPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF15N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF15N65E-GE3-ND
  别名：SIHF15N65E-GE3CT
  SIHF15N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN057-200B,118
  仓库库存编号：1727-4774-1-ND
  别名：1727-4774-1
  568-5952-1
  568-5952-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM90140E-GE3
  仓库库存编号：SUM90140E-GE3CT-ND
  别名：SUM90140E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF140N8F7
  仓库库存编号：497-14227-5-ND
  别名：497-14227-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 39A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN057-200P,127
  仓库库存编号：1727-5271-ND
  别名：1727-5271
  568-6641
  568-6641-5
  568-6641-5-ND
  568-6641-ND
  934056421127
  PSMN057-200P
  PSMN057-200P,127-ND
  PSMN057-200P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB15N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB15N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG32N50D-E3
  仓库库存编号：SIHG32N50D-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50DDA10T3G
  仓库库存编号：APTM50DDA10T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50DSK10T3G
  仓库库存编号：APTM50DSK10T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50H10FT3G
  仓库库存编号：APTM50H10FT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S208ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S208ATMA2-ND
  别名：SP001067884
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N06S208AKSA2
  仓库库存编号：IPI80N06S208AKSA2-ND
  别名：SP001067886
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S208AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S208AKSA2-ND
  别名：SP001067888
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 69A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF250P225
  仓库库存编号：IRF250P225-ND
  别名：SP001582436
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP214-TL-H
  仓库库存编号：ATP214-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 60A（Ta） 1W（Ta），84W（Tc） TO-251（MP-3）
  
  型号：2SK3813-AZ
  仓库库存编号：2SK3813-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP55N055SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP55N055SDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 1W（Ta），102W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP50P03YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P03YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP50P03YDG-E1-AY-ND
  NP50P03YDG-E1-AYTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 1W（Ta），120W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP74N04YUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP74N04YUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP74N04YUG-E1-AYCT
  NP74N04YUGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-08
  仓库库存编号：SPB80N06S2-08-ND
  别名：SP000016356
  SPB80N06S208T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2-08
  仓库库存编号：SPI80N06S2-08-ND
  别名：SP000013911
  SPI80N06S208
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-08
  仓库库存编号：SPP80N06S2-08-ND
  别名：SP000012822
  SPP80N06S208
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S208ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S208ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2-08
  IPB80N06S2-08-ND
  SP000218830
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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