产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2A (Tc) 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N06S2L35AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S2L35AATMA1CT-ND
别名：IPG20N06S2L35AATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount
型号：
SIA907EDJT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA907EDJT-T1-GE3CT-ND
别名：SIA907EDJT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 1W（Tc） TSMT3
型号：
RQ5E070BNTCL
仓库库存编号：
RQ5E070BNTCLCT-ND
别名：RQ5E070BNTCLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），27W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC7692S_F127
仓库库存编号：
FDMC7692S_F127CT-ND
别名：FDMC7692S_F127CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），27W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC7692S_F126
仓库库存编号：
FDMC7692S_F126CT-ND
别名：FDMC7692S_F126CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR472DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR472DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR472DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc）
型号：
SI4134DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4134DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4134DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4134DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4134DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4134DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 2.5W（Ta），4.5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4172DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4172DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4172DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN11006NL,LQ
仓库库存编号：
TPN11006NLLQCT-ND
别名：TPN11006NLLQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），27W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC7692S
仓库库存编号：
FDMC7692SCT-ND
别名：FDMC7692SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
SI6562CDQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6562CDQ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5853NLT1G
仓库库存编号：
NVMFD5853NLT1GOSCT-ND
别名：NVMFD5853NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） I-Pak
型号：
FQU12N20TU
仓库库存编号：
FQU12N20TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
型号：
FQD12N20TM
仓库库存编号：
FQD12N20TMFSCT-ND
别名：FQD12N20TMFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） Dual Cool ? 33
型号：
FDMC3020DC
仓库库存编号：
FDMC3020DCCT-ND
别名：FDMC3020DCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），27W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC8296
仓库库存编号：
FDMC8296CT-ND
别名：FDMC8296CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD4P40TM_AM002
仓库库存编号：
FQD4P40TM_AM002CT-ND
别名：FQD4P40TM_AM002CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），49A（Tc） 3.3W（Ta），60W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS3016DC
仓库库存编号：
FDMS3016DCCT-ND
别名：FDMS3016DCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ100N03MSGINCT
BSZ100N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8-33
型号：
IPC50N04S5L5R5ATMA1
仓库库存编号：
IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
别名：IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTRPBF
仓库库存编号：
IRFR220NTRPBFCT-ND
别名：*IRFR220NTRPBF
IRFR220NPBFCT
IRFR220NPBFCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S55R4ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S55R4ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7380TRPBF
仓库库存编号：
IRF7380TRPBFCT-ND
别名：IRF7380TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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