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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630STRL
  仓库库存编号：IRL630STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI630G
  仓库库存编号：IRLI630G-ND
  别名：*IRLI630G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630STRR
  仓库库存编号：IRL630STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 20W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2096H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2096H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 13A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4080N3
  仓库库存编号：FDS4080N3CT-ND
  别名：FDS4080N3_NLCT
  FDS4080N3_NLCT-ND
  FDS4080N3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 13A（Ta） 3.9W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4080N7
  仓库库存编号：FDS4080N7CT-ND
  别名：FDS4080N7_NLCT
  FDS4080N7_NLCT-ND
  FDS4080N7CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4780
  仓库库存编号：FDS4780-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 14A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP14N05L
  仓库库存编号：RFP14N05L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20
  仓库库存编号：FQPF12P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20XDTU
  仓库库存编号：FQPF12P20XDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 11.8A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF19N20T
  仓库库存编号：FQPF19N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 19.4A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI19N20TU
  仓库库存编号：FQI19N20TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 8.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 8.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF14N30
  仓库库存编号：FQPF14N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 8.6A（Tc） 70W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF12P20
  仓库库存编号：FQAF12P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 14.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB14N30TM
  仓库库存编号：FQB14N30TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 12.6A（Tc） 150W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA12P20
  仓库库存编号：FQA12P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 15A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 15A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF19N20
  仓库库存编号：FQAF19N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 3.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 3.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N70
  仓库库存编号：FQPF6N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 11.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 11.4A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF14N30
  仓库库存编号：FQAF14N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.4A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N90
  仓库库存编号：FQP5N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 15A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 15A（Tc） 160W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA14N30
  仓库库存编号：FQA14N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 6.2A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N70TM
  仓库库存编号：FQB6N70TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 6.4A（Tc） 152W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA6N70
  仓库库存编号：FQA6N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.8A（Tc） 185W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA5N90
  仓库库存编号：FQA5N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.1A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF5N90
  仓库库存编号：FQAF5N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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