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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19.4A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP19N20
  仓库库存编号：FQP19N20FS-ND
  别名：FQP19N20-ND
  FQP19N20FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP6N90C
  仓库库存编号：FQP6N90C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N90C
  仓库库存编号：FQPF6N90C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 33.3W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF085N10A
  仓库库存编号：FDPF085N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A50E,S4X
  仓库库存编号：TK12A50ES4X-ND
  别名：TK12A50E,S4X(S
  TK12A50E,S5X
  TK12A50E,S5X(M
  TK12A50ES4X
  TK12A50ES4X(S
  TK12A50ES4X(S-ND
  TK12A50ES5X
  TK12A50ES5X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK14A65W5,S5X
  仓库库存编号：TK14A65W5S5X-ND
  别名：TK14A65W5,S5X(M
  TK14A65W5,S5X-ND
  TK14A65W5S5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 10-Picostar (3.37x1.47)
  
  型号：CSD87501LT
  仓库库存编号：296-38677-1-ND
  别名：296-38677-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX200N20
  仓库库存编号：RCX200N20-ND
  别名：RCX200N20CT
  RCX200N20CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14.4A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP14N30
  仓库库存编号：FQP14N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP7N60E-GE3-ND
  别名：SIHP7N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHF7N60E-E3-ND
  别名：SIHF7N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA6N90C_F109
  仓库库存编号：FQA6N90C_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6015ENX
  仓库库存编号：R6015ENX-ND
  别名：R6015ENXCT
  R6015ENXCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6015ENZC8
  仓库库存编号：R6015ENZC8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI630GPBF
  仓库库存编号：IRLI630GPBF-ND
  别名：*IRLI630GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 68W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6020KNX
  仓库库存编号：R6020KNX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 20A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 68W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6020KNZC8
  仓库库存编号：R6020KNZC8-ND
  别名：R6020KNZC8TR
  R6020KNZC8TR-ND
  
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  NCH 600V 20A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 231W（Tc） TO-247
  
  型号：R6020KNZ1C9
  仓库库存编号：R6020KNZ1C9-ND
  别名：R6020KNZ1C9TR
  R6020KNZ1C9TR-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK14E65W5,S1X
  仓库库存编号：TK14E65W5S1X-ND
  别名：TK14E65W5,S1X(S
  TK14E65W5S1X
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK25E60X,S1X
  仓库库存编号：TK25E60XS1X-ND
  别名：TK25E60X,S1X(S
  TK25E60XS1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15N95K5
  仓库库存编号：497-14215-5-ND
  别名：497-14215-5
  STF15N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），52A（Tc） 6.2W（Ta），57W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6294
  仓库库存编号：785-1667-1-ND
  别名：785-1667-1
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.8A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF19N20
  仓库库存编号：FQPF19N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.4A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB19N20TM
  仓库库存编号：FQB19N20TMCT-ND
  别名：FQB19N20TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF380N60_F152
  仓库库存编号：FCPF380N60_F152-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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