产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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分立半导体产品
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4264
仓库库存编号：
785-1697-1-ND
别名：785-1697-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8.6A, 6.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号：
DMC4015SSD-13
仓库库存编号：
DMC4015SSD-13DICT-ND
别名：DMC4015SSD-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Tc） 3.75W（Tc） 8-SO
型号：
SQ9407EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ9407EY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ9407EY-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
DI9435T
仓库库存编号：
DI9435CT-ND
别名：DI9435
DI9435CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
DI9435T
仓库库存编号：
981-DI9435T-CHP
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号：
SQD70140EL_GE3TR-ND
别名：SQD70140EL_GE3TR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号：
SQD70140EL_GE3CT-ND
别名：SQD70140EL_GE3-ND
SQD70140EL_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 18.3A（Tc） 2.3W（Ta），38.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD19P06-60-E3
仓库库存编号：
SUD19P06-60-E3CT-ND
别名：SUD19P06-60-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ465EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ465EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ465EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
NTD6414ANT4G
仓库库存编号：
NTD6414ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6414ANT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 78A 8-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），78A（Tc） 7.4W（Ta），78W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6284
仓库库存编号：
785-1626-1-ND
别名：785-1626-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.4A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SO
型号：
SQ4961EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4961EY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ4961EY-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
SH8J31GZETB
仓库库存编号：
SH8J31GZETBCT-ND
别名：SH8J31GZETBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7949DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7949DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7949DP-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2P-CH 60V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ963EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ963EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ963EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 17A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），73W（Tc） Dual Cool ? 33
型号：
FDMC86520DC
仓库库存编号：
FDMC86520DCCT-ND
别名：FDMC86520DCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） D2PAK
型号：
TK14G65W5,RQ
仓库库存编号：
TK14G65W5RQCT-ND
别名：TK14G65W5RQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 215W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP19N40
仓库库存编号：
FDP19N40-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
STB20N90K5
仓库库存编号：
497-17086-1-ND
别名：497-17086-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB25N80K5
仓库库存编号：
497-13640-1-ND
别名：497-13640-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ058N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ058N03MSGINCT
BSZ058N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4615TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4615TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4615TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC052N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC052N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC052N08NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220F-3SG
型号：
2SK3703-1E
仓库库存编号：
2SK3703-1EOS-ND
别名：2SK3703-1E-ND
2SK3703-1EOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
AOT10N60
仓库库存编号：
785-1191-5-ND
别名：785-1191-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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