产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），32A（Tc） 4.2W（Ta），30W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
型号：
AON7764
仓库库存编号：
785-1682-1-ND
别名：785-1682-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 68A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta），68A（Tc） 4.1W（Ta），32.5W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
型号：
AON7536
仓库库存编号：
785-1686-1-ND
别名：785-1686-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 231W（Tc） TO-220
型号：
GP2M012A060H
仓库库存编号：
GP2M012A060H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53.4W（Tc） TO-220F
型号：
GP2M012A060F
仓库库存编号：
1560-1210-5-ND
别名：1560-1210-1
1560-1210-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3A（Ta），18A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） TO-251A
型号：
AOI2210
仓库库存编号：
785-1708-5-ND
别名：785-1708-5
AOI2210-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.5A（Ta），13A（Tc） 8.3W（Ta），36.5W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF2210L
仓库库存编号：
785-1713-5-ND
别名：785-1713-5
AOTF2210L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 4.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 4.5A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），115W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD254_001
仓库库存编号：
AOD254_001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6404A_001
仓库库存编号：
AON6404A_001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
AOT10N60_001
仓库库存编号：
AOT10N60_001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10N60_003
仓库库存编号：
AOTF10N60_003-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10N60_006
仓库库存编号：
AOTF10N60_006-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10N60L_002
仓库库存编号：
AOTF10N60L_002-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4446
仓库库存编号：
AO4446-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
AOT10T60P
仓库库存编号：
AOT10T60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 8-SO
型号：
IRF7203TR
仓库库存编号：
IRF7203TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF530N,127
仓库库存编号：
568-1159-5-ND
别名：568-1159-5
934055534127
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17.5A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
型号：
PHM15NQ20T,518
仓库库存编号：
PHM15NQ20T,518-ND
别名：934057304518
PHM15NQ20T /T3
PHM15NQ20T /T3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 35A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 110V 35A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP34NQ11T,127
仓库库存编号：
PHP34NQ11T,127-ND
别名：934058503127
PHP34NQ11T
PHP34NQ11T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP75NQ08T,127
仓库库存编号：
PHP75NQ08T,127-ND
别名：934057735127
PHP75NQ08T
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产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 24.8A SOT186A
详细描述：通孔 N 沟道 110V 24.8A（Tc） 56.8W（Tc） TO-220-3
型号：
PHX34NQ11T,127
仓库库存编号：
PHX34NQ11T,127-ND
别名：934058495127
PHX34NQ11T
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 136W（Tc） DPAK
型号：
PHD34NQ10T,118
仓库库存编号：
PHD34NQ10T,118-ND
别名：934055807118
PHD34NQ10T /T3
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产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 8.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
PHX18NQ20T,127
仓库库存编号：
PHX18NQ20T,127-ND
别名：934056396127
PHX18NQ20T
PHX18NQ20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N04S307AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N04S307AKSA1-ND
别名：IPI70N04S3-07
IPI70N04S3-07-ND
SP000279551
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP70N04S307AKSA1
仓库库存编号：
IPP70N04S307AKSA1-ND
别名：IPP70N04S3-07
IPP70N04S3-07-ND
SP000279559
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4615PBF
仓库库存编号：
IRFSL4615PBF-ND
别名：SP001557598
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
无铅
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