以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 76A（Ta） 70W（Ta） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6670AS
  仓库库存编号：FDD6670ASCT-ND
  别名：FDD6670ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 40A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 20W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2143H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2143H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），93W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM50N06-16L-E3
  仓库库存编号：SUM50N06-16L-E3CT-ND
  别名：SUM50N06-16L-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），70W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8672AS
  仓库库存编号：FDMS8672ASCT-ND
  别名：FDMS8672ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.8A（Tc） 185W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA5N90_F109
  仓库库存编号：FQA5N90_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20YDTU
  仓库库存编号：FQPF12P20YDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N90CT
  仓库库存编号：FQPF6N90CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 32A（Tc） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6414AN-1G
  仓库库存编号：NTD6414AN-1GOS-ND
  别名：NTD6414AN-1G-ND
  NTD6414AN-1GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 19A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6416ANL-1G
  仓库库存编号：NTD6416ANL-1GOS-ND
  别名：NTD6416ANL-1G-ND
  NTD6416ANL-1GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4650DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4650DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4650DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 28A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP28N15-52-E3
  仓库库存编号：SUP28N15-52-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220ML
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220ML
  
  型号：2SK3703
  仓库库存编号：2SK3703-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD472A
  仓库库存编号：785-1280-1-ND
  别名：785-1280-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SK3816-DL-E
  仓库库存编号：2SK3816-DL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 40A（Ta） 1.75W（Ta），45W（Tc） TO-220
  
  型号：2SK3823
  仓库库存编号：2SK3823-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 4.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 4.5A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），115W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD254
  仓库库存编号：785-1348-1-ND
  别名：785-1348-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 5A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 31A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6454A
  仓库库存编号：AON6454A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP085N10A
  仓库库存编号：FDP085N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1L080SNTR
  仓库库存编号：RP1L080SNCT-ND
  别名：RP1L080SNTRCT
  RP1L080SNTRCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 3A 4WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 550mW（Ta） 4-AlphaDFN（1.57x1.57）
  
  型号：AOC2401
  仓库库存编号：AOC2401-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 550mW（Ta） 4-AlphaDFN（1.57x1.57）
  
  型号：AOC2417
  仓库库存编号：AOC2417-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6762
  仓库库存编号：JAN2N6762-ND
  别名：JAN2N6762-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTX2N6762
  仓库库存编号：JANTX2N6762-ND
  别名：JANTX2N6762-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTXV2N6762
  仓库库存编号：JANTXV2N6762-ND
  别名：JANTXV2N6762-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：2N6762
  仓库库存编号：2N6762-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索