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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4433
  仓库库存编号：785-1029-1-ND
  别名：785-1029-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD456A
  仓库库存编号：785-1110-2-ND
  别名：785-1110-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 5W（Ta），41.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7196DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7196DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7196DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4688DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4688DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4688DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8018-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8018-H(TE12LQM)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：IRFS634B_FP001
  仓库库存编号：IRFS634B_FP001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 18A（Tc） 82W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SFP9Z34
  仓库库存编号：SFP9Z34-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
  
  型号：SFR9034TF
  仓库库存编号：SFR9034TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 10.5A（Tc） 3.8W（Ta），66W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：SFW9530TM
  仓库库存编号：SFW9530TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18A（Tc） 3.8W（Ta），82W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：SFW9Z34TM
  仓库库存编号：SFW9Z34TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 33A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5806NT4G
  仓库库存编号：NTD5806NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5806NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 54A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 10A（Ta），54A（Tc） 3.1W（Ta），150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4180
  仓库库存编号：785-1219-1-ND
  别名：785-1219-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Tc） 3.1W（Ta），5.4W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4322DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4322DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4682DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4682DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4682DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4682DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4688DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4688DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 5W（Ta），41.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7196DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7196DP-T1-E3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 5W（Ta），27.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7392ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7392ADP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 5W（Ta），27.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7392ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7392ADP-T1-GE3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 5W（Ta），27.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7682DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7682DP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 5W（Ta），27.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7682DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7682DP-T1-GE3-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V W-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2055DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2055DPA-00#J0CT-ND
  别名：RJK2055DPA-00#J0CT
  RJK2055DPA00J0
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 54A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.5A（Ta），54A（Tc） 3.1W（Ta），150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4124
  仓库库存编号：AOD4124-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD456
  仓库库存编号：AOD456-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 38A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 38A（Tc） 2.1W（Ta），38W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1413
  仓库库存编号：AOL1413-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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