产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R600P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R600P7AKMA1-ND
别名：SP001644630
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R600P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R600P7XKSA1-ND
别名：SP001644604
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP80R600P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R600P7XKSA1-ND
别名：SP001644610
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
型号：
TK10Q60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK10Q60WS1VQ-ND
别名：TK10Q60W,S1VQ(S
TK10Q60WS1VQ
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK10A60W,S4VX
仓库库存编号：
TK10A60WS4VX-ND
别名：TK10A60W,S4VX(M
TK10A60WS4VX
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 13A（Ta） 2.5W（Ta） PG-TDSON-8
型号：
BSC0996NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0996NSATMA1-ND
别名：SP001659236
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名：SP000475916
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO110N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO110N03MSGXUMA1TR-ND
别名：BSO110N03MS G
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINTR-ND
SP000446062
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.7W（Ta），33W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8330TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8330TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8330TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR812TRPBF
仓库库存编号：
IRFR812TRPBFCT-ND
别名：IRFR812TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N06S4L26AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S4L26AATMA1-ND
别名：SP001023848
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），88A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0503NSIATMA1-ND
别名：SP001288144
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名：SP001288156
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB812PBF
仓库库存编号：
IRFB812PBF-ND
别名：SP001563948
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
AUIRFR4292TRL
仓库库存编号：
AUIRFR4292TRLTR-ND
别名：AUIRFR4292TRLTR
SP001520520
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NS
仓库库存编号：
AUIRFZ24NS-ND
别名：SP001517468
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.8A（Tc） 62.5W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名：SP000949266
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000928260
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRFU4292
仓库库存编号：
AUIRFU4292-ND
别名：SP001519718
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRFZ24NSTRL-ND
别名：SP001522352
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000875794
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R660CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R660CFDAAKSA1-ND
别名：SP000875802
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R225C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R225C7XKSA1-ND
别名：SP001080144
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 4.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.7A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
STP5NB40
仓库库存编号：
497-2675-5-ND
别名：497-2675-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
STS3C2F100
仓库库存编号：
STS3C2F100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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