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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4936ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4936ADY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R600P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60C
  仓库库存编号：FQP6N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRF720LPBF
  仓库库存编号：IRF720LPBF-ND
  别名：*IRF720LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B14NT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B14NT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B14NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B14NWFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 1W（Ta），30W（Tc） TO-251（MP-3）
  
  型号：2SK3484-AZ
  仓库库存编号：2SK3484-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B14NT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B14NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF720STRRPBF
  仓库库存编号：IRF720STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B14NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B14NWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS6B14NT1G
  仓库库存编号：NTMFS6B14NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS6B14NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V W-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK1557DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK1557DPA-00#J0TR-ND
  别名：RJK1557DPA-00#J0-ND
  RJK1557DPA-00#J0TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP7N60PM
  仓库库存编号：IXTP7N60PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta），18A（Tc） 8.3W（Ta），278W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：AOV20S60
  仓库库存编号：785-1685-1-ND
  别名：785-1685-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A60DA(STA4QM)
  TK8A60DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta） 88.3W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK10V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK10V60WLVQCT-ND
  别名：TK10V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK11A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK11A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK11A45D(STA4QM)
  TK11A45DSTA4QM
  
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  MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK10A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK10A50D(STA4QM)
  TK10A50DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 30W（Tc） TO-220
  
  型号：TK10A60W,S4X
  仓库库存编号：TK10A60WS4X-ND
  别名：TK10A60WS4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK9A55DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK9A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK9A55DA(STA4QM)
  TK9A55DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP7N60P
  仓库库存编号：IXTP7N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP8N50P
  仓库库存编号：IXTP8N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP8N50PM
  仓库库存编号：IXTP8N50PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP8N50PM
  仓库库存编号：IXFP8N50PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R600P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R600P7AKMA1-ND
  别名：SP001644622
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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