产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),70A(Tc) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C670NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C670NLTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5875NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5875NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),70A(Tc) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C670NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C670NLWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830BPBF
仓库库存编号:
IRF830BPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHP5N50D-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-251AA
型号:
SIHU5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHU5N50D-E3-ND
别名:SIHU5N50D-E3CT
SIHU5N50D-E3CT-ND
SIHU5N50DE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4900DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4900DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta), 61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C670NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C670NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5C670NLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta), 61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C670NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C670NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 40V 8A 10.8W, 24W Surface Mount TO-252-4L
型号:
SUD50NP04-77P-T4E3
仓库库存编号:
SUD50NP04-77P-T4E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 17A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta), 61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C670NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C670NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 150V 3A(Ta),13A(Tc) 2.1W(Ta),41W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF454L
仓库库存编号:
AOTF454L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 2.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N100
仓库库存编号:
AOTF3N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQD6N60CTM_WS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5485NLT3G
仓库库存编号:
NVMFD5485NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 2.8A(Tc) 132W(Tc) TO-220
型号:
AOT3N100
仓库库存编号:
AOT3N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5485NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFD5485NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR320TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR320TRRPBF-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 1.6W(Ta),25W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8065-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCA8065-HLQ(S-ND
别名:TPCA8065-HLQ(S
TPCA8065HLQS
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5485NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5485NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5485NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5485NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4808DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4808DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4808DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4808DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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