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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R225C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R225C7XKSA1-ND
  别名：SP000929432
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） TO-247
  
  型号：STW18N60DM2
  仓库库存编号：497-16340-5-ND
  别名：497-16340-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6008FNX
  仓库库存编号：R6008FNX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 30W TO-220SIS
  
  型号：TK380A60Y,S4X
  仓库库存编号：TK380A60YS4X-ND
  别名：TK380A60Y,S4X(S
  TK380A60YS4X
  TK380A60YS4X(S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 10A 650V TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta）, 156W（Tc） TO-220
  
  型号：CDM22010-650 SL
  仓库库存编号：CDM22010-650 SL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9.3A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK9A65W,S5X
  仓库库存编号：TK9A65WS5X-ND
  别名：TK9A65W,S5X(M
  TK9A65WS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10NM60ND
  仓库库存编号：497-12276-ND
  别名：497-12276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT3612
  仓库库存编号：FDT3612CT-ND
  别名：FDT3612CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4554DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4554DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4554DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 17A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta），17A（Tc） 4.1W（Ta），39W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7254
  仓库库存编号：785-1675-1-ND
  别名：785-1675-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4900DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4900DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4900DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF6N60ZUT
  仓库库存编号：FDPF6N60ZUT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.4A, 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4539ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4539ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4539ADY-T1-E3CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N40CTM
  仓库库存编号：FQB6N40CTMCT-ND
  别名：FQB6N40CTMCT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6007ENJTL
  仓库库存编号：R6007ENJTLCT-ND
  别名：R6007ENJTLCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S4L-09
  仓库库存编号：IPD30N03S4L-09INCT-ND
  别名：IPD30N03S4L-09INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R225C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R225C7ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R225C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3PK50Z
  仓库库存编号：497-12121-1-ND
  别名：497-12121-1
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC3535
  仓库库存编号：FDC3535CT-ND
  别名：FDC3535CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S4L26ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S4L26ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N06S4L26ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5877NLT1G
  仓库库存编号：NVMFD5877NLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFD5877NLT1GOSCT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-E3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF5N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF5N50D-E3-ND
  别名：SIHF5N50D-E3CT
  SIHF5N50D-E3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD9NM50N
  仓库库存编号：497-7980-1-ND
  别名：497-7980-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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