产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-5
型号：
FDD8424H_F085A
仓库库存编号：
FDD8424H_F085ACT-ND
别名：FDD8424H_F085ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7308DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7308DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7308DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E150MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E150MNTB1CT-ND
别名：RQ3E150MNTB1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） I-Pak
型号：
FQU9N25TU
仓库库存编号：
FQU9N25TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 15A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），29A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） Power56
型号：
FDMS7580
仓库库存编号：
FDMS7580CT-ND
别名：FDMS7580CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18563Q5AT
仓库库存编号：
296-37748-1-ND
别名：296-37748-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 8A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ960EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ960EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ960EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4936ADY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4936ADY-T1-E3CT-ND
别名：SI4936ADY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
型号：
STB18N60DM2
仓库库存编号：
497-16339-1-ND
别名：497-16339-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD10NM60ND
仓库库存编号：
497-12239-1-ND
别名：497-12239-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 50W（Tc） LPTS
型号：
R6008FNJTL
仓库库存编号：
R6008FNJTLCT-ND
别名：R6008FNJTLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP318SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP318SH6327XTSA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL207SPH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL207SPH6327XTSA1CT-ND
别名：BSL207SPH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名：IPB65R225C7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 67W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R230C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R230C7AUMA1CT-ND
别名：IPL65R230C7AUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 16A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta），22A（Tc） 2.1W（Ta），23.5W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF2618L
仓库库存编号：
785-1442-5-ND
别名：785-1442-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ24NPBF
仓库库存编号：
IRFIZ24NPBF-ND
别名：*IRFIZ24NPBF
SP001556656
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
型号：
STI18N65M2
仓库库存编号：
497-15550-5-ND
别名：497-15550-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 8.7A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
型号：
IRFI4019H-117P
仓库库存编号：
IRFI4019H-117P-ND
别名：IRFI4019H117P
SP001560458
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 100W（Tc） TO-220
型号：
TK10E60W,S1VX
仓库库存编号：
TK10E60WS1VX-ND
别名：TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP5N50D-E3
仓库库存编号：
SIHP5N50D-E3-ND
别名：SIHP5N50D-E3CT
SIHP5N50D-E3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 73W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N40CF
仓库库存编号：
FQP6N40CF-ND
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无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
R6007ENX
仓库库存编号：
R6007ENX-ND
别名：R6007ENXCT
R6007ENXCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU18N65M2
仓库库存编号：
497-16306-5-ND
别名：497-16306-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） TO-220
型号：
STP18N60DM2
仓库库存编号：
497-16338-5-ND
别名：497-16338-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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