产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
SIZ342DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ342DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ342DT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16A WDFN8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Ta），70A（Tc） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS5C670NLTAG
仓库库存编号：
NTTFS5C670NLTAGOSCT-ND
别名：NTTFS5C670NLTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS460EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS460EN-T1_GE3CT-ND
别名：SQS460EN-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.7A（Tc） 30W（Tc） DPAK
型号：
TK380P60Y,RQ
仓库库存编号：
TK380P60YRQCT-ND
别名：TK380P60YRQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9.7A（Tc） 80W（Tc） DPAK
型号：
TK380P65Y,RQ
仓库库存编号：
TK380P65YRQCT-ND
别名：TK380P65YRQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 60V FET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Ta），71A（Tc） 61W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C670NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C670NLWFAFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C670NLWFAFT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9.3A（Ta） 80W（Tc） DPAK
型号：
TK9P65W,RQ
仓库库存编号：
TK9P65WRQCT-ND
别名：TK9P65WRQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU320PBF
仓库库存编号：
IRFU320PBF-ND
别名：*IRFU320PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 3.3A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
AO4886
仓库库存编号：
785-1556-1-ND
别名：785-1556-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4630
仓库库存编号：
800-3745-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta），16A（Tc） 2.3W（Ta），18W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC8882
仓库库存编号：
FDMC8882FSCT-ND
别名：FDMC8882FSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 550mW（Ta） 8-TSST
型号：
RT1E040RPTR
仓库库存编号：
RT1E040RPCT-ND
别名：RT1E040RPTRCT
RT1E040RPTRCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 33W（Tc） DPAK
型号：
NVD5807NT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD5807NT4G-VF01CT-ND
别名：NVD5807NT4G-VF01CT
NVD5807NT4GOSCT
NVD5807NT4GOSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 12A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD407
仓库库存编号：
785-1102-1-ND
别名：785-1102-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 15A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ148EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ148EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ148EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC3612
仓库库存编号：
FDC3612CT-ND
别名：FDC3612CT
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8882
仓库库存编号：
FDS8882CT-ND
别名：FDS8882CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ946EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ946EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ946EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 23A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ476EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ476EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ476EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 73W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP6N40C
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ416EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ416EP-T1_GE3CT
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 550mW Surface Mount TSMT8
型号：
QS8K13TCR
仓库库存编号：
QS8K13TCRCT-ND
别名：QS8K13TCRCT
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 6.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），23A（Tc） 6.2W（Ta），75W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2544
仓库库存编号：
785-1660-1-ND
别名：785-1660-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA432DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA432DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA432DJ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
型号：
FQD9N25TM_F085
仓库库存编号：
FQD9N25TM_F085CT-ND
别名：FQD9N25TM_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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