产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9220PBFCT-ND
别名：*IRFR9220TRPBF
IRFR9220PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3438DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3438DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3438DV-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4559ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4559ADY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4559ADY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4559ADY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4559ADY-T1-E3CT-ND
别名：SI4559ADY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7308DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7308DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7308DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），71A（Tc） 3.6W（Ta）, 61W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C670NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C670NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C670NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF720PBF
仓库库存编号：
IRF720PBF-ND
别名：*IRF720PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta），23A（Tc） 2.1W（Ta），41.5W（Tc） TO-220
型号：
AOT2618L
仓库库存编号：
785-1438-5-ND
别名：785-1438-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF18N65M2
仓库库存编号：
497-15533-5-ND
别名：497-15533-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA8N50P
仓库库存编号：
IXTA8N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP171PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP171PH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4486
仓库库存编号：
785-1552-1-ND
别名：785-1552-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
型号：
FQD9N25TM
仓库库存编号：
FQD9N25TMCT-ND
别名：FQD9N25TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），28A（Tc） 30W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8451
仓库库存编号：
FDD8451CT-ND
别名：FDD8451CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO615N G
仓库库存编号：
BSO615NGINCT-ND
别名：BSO615NXTINCT
BSO615NXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ24NPBF
仓库库存编号：
IRFZ24NPBF-ND
别名：*IRFZ24NPBF
SP001565128
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU024NPBF
仓库库存编号：
IRFU024NPBF-ND
别名：*IRFU024NPBF
SP001552404
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHD5N50D-GE3-ND
别名：SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） DPAK
型号：
TK10P60W,RVQ
仓库库存编号：
TK10P60WRVQCT-ND
别名：TK10P60WRVQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4019PBF
仓库库存编号：
IRFB4019PBF-ND
别名：SP001572370
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9220PBF
仓库库存编号：
IRFU9220PBF-ND
别名：*IRFU9220PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 490mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD320PBF
仓库库存编号：
IRFD320PBF-ND
别名：*IRFD320PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK6A65D(STA4QM)-ND
别名：TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP18N65M2
仓库库存编号：
497-15557-5-ND
别名：497-15557-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720SPBF
仓库库存编号：
IRF720SPBF-ND
别名：*IRF720SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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