产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ24NL
仓库库存编号：
IRFZ24NL-ND
别名：*IRFZ24NL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024NTRR
仓库库存编号：
IRFR024NTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24NSTRL
仓库库存编号：
IRFZ24NSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ24NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO615N
仓库库存编号：
BSO615NINCT-ND
别名：BSO615NINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PE6327
仓库库存编号：
BSP171PE6327INCT-ND
别名：BSP171PE6327INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ24NLPBF
仓库库存编号：
IRFZ24NLPBF-ND
别名：*IRFZ24NLPBF
SP001571902
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ24EPBF
仓库库存编号：
IRFIZ24EPBF-ND
别名：*IRFIZ24EPBF
SP001575814
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PE6327T
仓库库存编号：
BSP171PE6327XTINCT-ND
别名：BSP171PE6327XTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta），25A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SJ
型号：
IRF6645TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6645TR1PBFCT-ND
别名：IRF6645TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP318S E6327
仓库库存编号：
BSP318S E6327-ND
别名：BSP318SE6327T
SP000011112
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP171PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP171PL6327
BSP171PL6327INCT
BSP171PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP318SL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP318SL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP318SL6327
BSP318SL6327INCT
BSP318SL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 15A 21W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG15N06S3L-45
仓库库存编号：
IPG15N06S3L-45-ND
别名：SP000396302
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 8.7A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
型号：
IRFI4019HG-117P
仓库库存编号：
IRFI4019HG-117P-ND
别名：IRFI4019HG117P
SP001578094
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta），25A（Tc） 3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SJ
型号：
IRF6645
仓库库存编号：
IRF6645-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ24NSTRLPBFCT-ND
别名：IRFZ24NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），56A（Tc） 3.3W（Ta），35W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8330TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8330TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8330TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 44A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03MS GCT
BSC889N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NSTRR
仓库库存编号：
AUIRFZ24NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） TO-252AA
型号：
AUIRFR024N
仓库库存编号：
AUIRFR024N-ND
别名：SP001515958
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
AUIRFR4292
仓库库存编号：
AUIRFR4292-ND
别名：SP001520304
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 2.7W（Ta），29W（Tc） 8-PQFN（3x3）
型号：
IRFHM4231TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM4231TRPBFCT-ND
别名：IRFHM4231TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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