产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5402DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5402DC-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.7A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号：
SQ9945AEY-T1-E3
仓库库存编号：
SQ9945AEY-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 25A（Tc） 3W（Ta），33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD25N04-25-E3
仓库库存编号：
SUD25N04-25-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 25A（Tc） 3W（Ta），33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD25N04-25-T4-E3
仓库库存编号：
SUD25N04-25-T4-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 5.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.4A（Ta），8A（Tc） 2W（Ta），10.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N04-37P-T4-E3
仓库库存编号：
SUD50N04-37P-T4-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPCC8065-H,LQ(S
仓库库存编号：
TPCC8065-HLQ(S-ND
别名：TPCC8065-HLQ(S
TPCC8065HLQS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.5A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4722
仓库库存编号：
785-1297-1-ND
别名：785-1297-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），24A（Tc） 1.95W（Ta），35W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6200L
仓库库存编号：
785-1397-1-ND
别名：785-1397-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15.8A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7200
仓库库存编号：
785-1374-1-ND
别名：785-1374-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） UltraSO-8?
型号：
AOL1208
仓库库存编号：
AOL1208-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHD5N50D-GE3TR-ND
别名：SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 23A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta），23A（Tc） 2.1W（Ta），41.5W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB2618L
仓库库存编号：
785-1471-1-ND
别名：785-1471-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI4412ADY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4412ADY-T1-E3CT-ND
别名：SI4412ADY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK2557DPA-00#J0
仓库库存编号：
RJK2557DPA-00#J0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 8A（Ta） 65W（Tc） MP-3A
型号：
RJK4006DPD-00#J2
仓库库存编号：
RJK4006DPD-00#J2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 400V 8A（Ta） 29W（Tc） TO-220FL
型号：
RJK4006DPP-M0#T2
仓库库存编号：
RJK4006DPP-M0#T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 29.5W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK6035DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK6035DPP-E0#T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 8-DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 900mW Surface Mount 8-AlphaDFN (3.2x2)
型号：
AOC4810
仓库库存编号：
785-1619-1-ND
别名：785-1619-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-5
型号：
FDD8424H_F085A
仓库库存编号：
FDD8424H_F085A-5-ND
别名：FDD8424H_F085A-5
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
型号：
CPH6442-TL-E
仓库库存编号：
CPH6442-TL-EOSCT-ND
别名：CPH6442-TL-EOSCT
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 900mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
HAT2131R-EL-E
仓库库存编号：
HAT2131R-EL-E-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15.8A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7200L
仓库库存编号：
AON7200L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15.8A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
型号：
AON7200_101
仓库库存编号：
AON7200_101-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15.8A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
型号：
AON7200_102
仓库库存编号：
AON7200_102-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ24E
仓库库存编号：
IRFIZ24E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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