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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS9412A
  仓库库存编号：FDS9412A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N60CTM
  仓库库存编号：FQD6N60CTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 6A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N40CF
  仓库库存编号：FQPF6N40CF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU6N40CTU_NBEA001
  仓库库存编号：FQU6N40CTU_NBEA001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7948DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7948DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7948DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4561DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4561DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4561DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7842DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7842DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7842DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7844DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7844DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7844DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 23A（Tc） 33W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5807NT4G
  仓库库存编号：NTD5807NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：FDD8424H_F085
  仓库库存编号：FDD8424H_F085CT-ND
  别名：FDD8424H_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60C_F080
  仓库库存编号：FQP6N60C_F080-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8005-H(TE85L,F
  仓库库存编号：TPCP8005-HTE85LFCT-ND
  别名：TPCP8005-HTE85LFCT
  TPCP8005HTE85LF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD12N10T4G
  仓库库存编号：NTD12N10T4GOSCT-ND
  别名：NTD12N10T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6416AN-1G
  仓库库存编号：NTD6416AN-1GOS-ND
  别名：NTD6416AN-1G-ND
  NTD6416AN-1GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8A01-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8A01-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8A01-H(TE12LQMCT
  TPCC8A01HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 132W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT5N60
  仓库库存编号：785-1188-5-ND
  别名：785-1188-5
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.7A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9945AEY-T1
  仓库库存编号：SI9945AEY-T1-ND
  别名：Q4552539A
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD5P06VT4GV
  仓库库存编号：MTD5P06VT4GV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5402BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5402BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5402BDC-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7946DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7946DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7946DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3446ADV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3446ADV-T1-GE3-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4412ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4412ADY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.4A, 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4539ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4539ADY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4561DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4561DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5402DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5402DC-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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