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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.8A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2NA90
  仓库库存编号：FQP2NA90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 6.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N25
  仓库库存编号：FQPF9N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N60CTM
  仓库库存编号：FQB6N60CTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 9.4A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N25TM
  仓库库存编号：FQB9N25TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 2.8A（Tc） 3.13W（Ta），107W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2NA90TM
  仓库库存编号：FQB2NA90TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 106W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4N60
  仓库库存编号：FQP4N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N60
  仓库库存编号：FQPF5N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N60TM
  仓库库存编号：FQB5N60TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.8A（Tc） 3.13W（Ta），107W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI2NA90TU
  仓库库存编号：FQI2NA90TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD5P06VT4G
  仓库库存编号：MTD5P06VT4GOSCT-ND
  别名：MTD5P06VT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta） 64.7W（Ta） D2PAK
  
  型号：NTB13N10
  仓库库存编号：NTB13N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta） 64.7W（Ta） D2PAK
  
  型号：NTB13N10G
  仓库库存编号：NTB13N10G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD12N10-1G
  仓库库存编号：NTD12N10-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD3055-094
  仓库库存编号：NTD3055-094-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD3055-094-1
  仓库库存编号：NTD3055-094-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD3055-094-1G
  仓库库存编号：NTD3055-094-1GOS-ND
  别名：NTD3055-094-1G-ND
  NTD3055-094-1GOS
  NTD30550941G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3446ADV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3446ADV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3446ADV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5402BDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5402BDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5402BDC-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 3.2A 1.4W, 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7530DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7530DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7530DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7842DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7842DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7842DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7844DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7844DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7844DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7946DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7946DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7946DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.6A（Ta），38A（Tc） 75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5407NG
  仓库库存编号：NTD5407NG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.6A（Ta），38A（Tc） 2.9W（Ta），75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5407NT4G
  仓库库存编号：NTD5407NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N50F
  仓库库存编号：FDPF7N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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