产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STD9NM50N-1
仓库库存编号：
STD9NM50N-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF9NM50N
仓库库存编号：
497-7476-5-ND
别名：497-7476-5
STF9NM50N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP9NM50N
仓库库存编号：
497-7537-5-ND
别名：497-7537-5
STP9NM50N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 80V 2A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
STS2DPF80
仓库库存编号：
497-8040-1-ND
别名：497-8040-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 30A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD36NH02L
仓库库存编号：
497-7966-1-ND
别名：497-7966-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF720
仓库库存编号：
IRF720-ND
别名：*IRF720
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720S
仓库库存编号：
IRF720S-ND
别名：*IRF720S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
NDC651N
仓库库存编号：
NDC651NCT-ND
别名：NDC651NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
NDC652P
仓库库存编号：
NDC652PCT-ND
别名：NDC652PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 490mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD320
仓库库存编号：
IRFD320-ND
别名：*IRFD320
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 2.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI720G
仓库库存编号：
IRFI720G-ND
别名：*IRFI720G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320
仓库库存编号：
IRFR320-ND
别名：*IRFR320
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TR
仓库库存编号：
IRFR320TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220
仓库库存编号：
IRFR9220-ND
别名：*IRFR9220
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TR
仓库库存编号：
IRFR9220TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU320
仓库库存编号：
IRFU320-ND
别名：*IRFU320
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9220
仓库库存编号：
IRFU9220-ND
别名：*IRFU9220
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF720L
仓库库存编号：
IRF720L-ND
别名：*IRF720L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720STRL
仓库库存编号：
IRF720STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720STRR
仓库库存编号：
IRF720STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TRL
仓库库存编号：
IRFR320TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TRR
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IRFR320TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TRL
仓库库存编号：
IRFR9220TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TRR
仓库库存编号：
IRFR9220TRR-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） DPAK-3
型号：
NTD12N10T4
仓库库存编号：
NTD12N10T4OSCT-ND
别名：NTD12N10T4OSCT
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