产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4441
仓库库存编号：
785-1196-1-ND
别名：785-1196-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号：
SI5999EDU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5999EDU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5999EDU-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS4897C
仓库库存编号：
FDS4897CCT-ND
别名：FDS4897CCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
NDT3055L
仓库库存编号：
NDT3055LCT-ND
别名：NDT3055LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI9945BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI9945BDY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4599DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4599DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4599DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 71W（Tc） DPAK
型号：
NTD6416ANT4G
仓库库存编号：
NTD6416ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6416ANT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
型号：
FDD8424H
仓库库存编号：
FDD8424HCT-ND
别名：FDD8424HCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TRPBF
仓库库存编号：
IRFR320PBFCT-ND
别名：*IRFR320TRPBF
IRFR320PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7322DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7322DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7322DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta），13.5A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
型号：
FDMC5614P
仓库库存编号：
FDMC5614PCT-ND
别名：FDMC5614PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-SON（5x6）
型号：
CSD18563Q5A
仓库库存编号：
296-36511-1-ND
别名：296-36511-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7220DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7220DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7220DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7220DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7220DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7220DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 720mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN3042L-7
仓库库存编号：
DMN3042L-7DICT-ND
别名：DMN3042L-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），18A（Tc） 96mW，80mW SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2374DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2374DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2374DS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），39A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC120N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC120N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03MSGINCT
BSC120N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
型号：
NTD3055-094T4G
仓库库存编号：
NTD3055-094T4GOSCT-ND
别名：NTD3055-094T4GOS
NTD3055-094T4GOS-ND
NTD3055-094T4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN026-80YS,115
仓库库存编号：
1727-4278-1-ND
别名：1727-4278-1
568-4910-1
568-4910-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024NTRPBF
仓库库存编号：
IRFR024NPBFCT-ND
别名：*IRFR024NTRPBF
IRFR024NPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN017-60YS,115
仓库库存编号：
1727-4626-1-ND
别名：1727-4626-1
568-5581-1
568-5581-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN8R3-40YS,115
仓库库存编号：
1727-4271-1-ND
别名：1727-4271-1
568-4903-1
568-4903-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3.5W（Ta），19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA466EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA466EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA466EDJ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 6-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA8051L
仓库库存编号：
FDMA8051LCT-ND
别名：FDMA8051LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6N40CTM
仓库库存编号：
FQD6N40CTMCT-ND
别名：FQD6N40CTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V,
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