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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 1.8A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 1.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2P25
  仓库库存编号：FQPF2P25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N25TF
  仓库库存编号：FQD6N25TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.3A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI2P25TU
  仓库库存编号：FQI2P25TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.4A（Tc） 3.75W（Ta），63W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI6N15TU
  仓库库存编号：FQI6N15TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 5.5A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N25TM
  仓库库存编号：FQB6N25TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 5.5A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N25
  仓库库存编号：FQP6N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 2.3A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2P25TM
  仓库库存编号：FQB2P25TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6.4A（Tc） 3.75W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N15TM
  仓库库存编号：FQB6N15TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A065CG
  仓库库存编号：GP2M002A065CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M002A065FG
  仓库库存编号：GP2M002A065FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A065HG
  仓库库存编号：GP2M002A065HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A065PG
  仓库库存编号：GP2M002A065PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 32.6W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD16N03LT,118
  仓库库存编号：PHD16N03LT,118-ND
  别名：934057927118
  PHD16N03LT /T3
  PHD16N03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5804TRPBF
  仓库库存编号：IRF5804TRPBFCT-ND
  别名：IRF5804TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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