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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 60V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2309ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2309ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2309ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 900mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：SSN1N45BTA
  仓库库存编号：SSN1N45BTACT-ND
  别名：SSN1N45BTACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Tc） 78W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD5N40
  仓库库存编号：785-1360-1-ND
  别名：785-1360-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N25TM
  仓库库存编号：FQD6N25TMFSCT-ND
  别名：FQD6N25TMFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 550mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT2P25TF
  仓库库存编号：FQT2P25TFCT-ND
  别名：FQT2P25TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX081N20
  仓库库存编号：RCX081N20-ND
  别名：RCX081N20CT
  RCX081N20CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 5A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 1.56W（Ta），30W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ050N25TL
  仓库库存编号：RCJ050N25TLCT-ND
  别名：RCJ050N25TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 2.23W（Ta），30W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX051N25
  仓库库存编号：RCX051N25-ND
  别名：RCX051N25CT
  RCX051N25CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD041N25TL
  仓库库存编号：RCD041N25TLCT-ND
  别名：RCD041N25TLCT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 8A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ081N20TL
  仓库库存编号：RCJ081N20TLCT-ND
  别名：RCJ081N20TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N60M2
  仓库库存编号：497-14982-1-ND
  别名：497-14982-1
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6602L
  仓库库存编号：785-1077-1-ND
  别名：785-1077-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 12.3A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.3A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y98-80EX
  仓库库存编号：1727-1118-1-ND
  别名：1727-1118-1
  568-10273-1
  568-10273-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 78W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI5N40
  仓库库存编号：785-1451-5-ND
  别名：785-1451-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1N80
  仓库库存编号：IXTA1N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N80
  仓库库存编号：IXTP1N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY1N80
  仓库库存编号：IXTY1N80-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：2SK2887TL
  仓库库存编号：2SK2887TLCT-ND
  别名：2SK2887TLCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 450V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 500mA（Tc） 900mW（Ta） SOT-223-4
  
  型号：SSM1N45BTF
  仓库库存编号：SSM1N45BTF-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 900mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：SSN1N45BBU
  仓库库存编号：SSN1N45BBU-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N15
  仓库库存编号：FQPF6N15-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.3A（Tc） 52W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2P25
  仓库库存编号：FQP2P25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.4A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N15
  仓库库存编号：FQP6N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU6N25TU
  仓库库存编号：FQU6N25TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N25
  仓库库存编号：FQPF6N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 10V,
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