产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 5.4W（Ta），254W（Tc） D2PAK
型号：
NVB5404NT4G
仓库库存编号：
NVB5404NT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7880ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7880ADP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7866ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7866ADP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N60Q
仓库库存编号：
IXFH30N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N60Q
仓库库存编号：
IXFT30N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT20N50D
仓库库存编号：
IXTT20N50D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS3306TRL
仓库库存编号：
AUIRFS3306TRL-ND
别名：SP001522172
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 300V 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
型号：
AUIRFP4409
仓库库存编号：
AUIRFP4409-ND
别名：SP001518024
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 136A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 167A（Tc） 5.4W（Ta），254W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5404NT4G
仓库库存编号：
NTB5404NT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 136A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 24A（Ta），167A（Tc） 5.4W（Ta），254W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5404NRG
仓库库存编号：
NTP5404NRG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7664DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7664DP-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7664DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7664DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4W（Ta），70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD45P03-15-E3
仓库库存编号：
SUD45P03-15-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
型号：
JAN2N6764
仓库库存编号：
JAN2N6764-ND
别名：JAN2N6764-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N6764T1
仓库库存编号：
JAN2N6764T1-ND
别名：JAN2N6764T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N7224
仓库库存编号：
JAN2N7224-ND
别名：JAN2N7224-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-267AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JAN2N7224U
仓库库存编号：
JAN2N7224U-ND
别名：JAN2N7224U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6764
仓库库存编号：
JANTX2N6764-ND
别名：JANTX2N6764-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N6764T1
仓库库存编号：
JANTX2N6764T1-ND
别名：JANTX2N6764T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N7224
仓库库存编号：
JANTX2N7224-ND
别名：JANTX2N7224-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTX2N7224U
仓库库存编号：
JANTX2N7224U-ND
别名：JANTX2N7224U-MIL
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTXV2N6764
仓库库存编号：
JANTXV2N6764-ND
别名：JANTXV2N6764-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N6764T1
仓库库存编号：
JANTXV2N6764T1-ND
别名：JANTXV2N6764T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7224
仓库库存编号：
JANTXV2N7224-ND
别名：JANTXV2N7224-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7224U
仓库库存编号：
JANTXV2N7224U-ND
别名：JANTXV2N7224U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
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