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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C1R8-60EJ
  仓库库存编号：BUK7C1R8-60EJ-ND
  别名：934067491118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7-DDPAK
  
  型号：BUK7C2R2-60EJ
  仓库库存编号：BUK7C2R2-60EJ-ND
  别名：934067492118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C3R1-80EJ
  仓库库存编号：BUK7C3R1-80EJ-ND
  别名：934067493118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C3R8-80EJ
  仓库库存编号：BUK7C3R8-80EJ-ND
  别名：934067494118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C4R5-100EJ
  仓库库存编号：BUK7C4R5-100EJ-ND
  别名：934067495118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V D2PAK-7
  
  型号：BUK7C5R4-100EJ
  仓库库存编号：BUK7C5R4-100EJ-ND
  别名：934067496118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V D2PAK-7
  
  型号：BUK9C2R2-60EJ
  仓库库存编号：BUK9C2R2-60EJ-ND
  别名：934067485118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V D2PAK-7
  
  型号：BUK9C3R8-80EJ
  仓库库存编号：BUK9C3R8-80EJ-ND
  别名：934067486118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V D2PAK-7
  
  型号：BUK9C5R3-100EJ
  仓库库存编号：BUK9C5R3-100EJ-ND
  别名：934067487118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V TO-220AB
  
  型号：BUK951R8-40EQ
  仓库库存编号：BUK951R8-40EQ-ND
  别名：934067634127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 190A（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9C1R3-40EJ
  仓库库存编号：BUK9C1R3-40EJ-ND
  别名：934067866118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：BUZ31H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ31H3046XKSA1-ND
  别名：SP000682994
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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