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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31L
  仓库库存编号：BUZ31LIN-ND
  别名：BUZ31L-ND
  BUZ31LIN
  BUZ31LX
  BUZ31LXK
  SP000011342
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：BUZ31L E3044A
  仓库库存编号：BUZ31L E3044A-ND
  别名：BUZ31LE3044ANT
  BUZ31LE3044AT
  SP000011961
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32
  仓库库存编号：BUZ32IN-ND
  别名：BUZ32-ND
  BUZ32IN
  BUZ32X
  BUZ32XK
  SP000011345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUZ32 E3045A
  仓库库存编号：BUZ32 E3045A-ND
  别名：BUZ32E3045AT
  SP000011346
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ32H3045AATMA1
  仓库库存编号：BUZ32H3045AATMA1-ND
  别名：BUZ32 H3045A
  BUZ32 L3045A
  BUZ32 L3045A-ND
  BUZ32H3045AIN
  BUZ32H3045AIN-ND
  BUZ32L3045AIN
  BUZ32L3045AIN-ND
  BUZ32L3045AXT
  SP000102174
  SP000736086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73E3046XK
  仓库库存编号：BUZ73E3046XK-ND
  别名：BUZ73 E3046
  BUZ73 E3046-ND
  BUZ73E3046X
  SP000011963
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A
  仓库库存编号：BUZ73AIN-ND
  别名：BUZ73A-ND
  BUZ73AIN
  BUZ73AX
  BUZ73AXK
  SP000011373
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73AE3046XK
  仓库库存编号：BUZ73AE3046XK-ND
  别名：BUZ73A E3046
  BUZ73A E3046-ND
  BUZ73AE3046X
  SP000011962
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73AL
  仓库库存编号：BUZ73ALIN-ND
  别名：BUZ73AL-ND
  BUZ73ALIN
  BUZ73ALX
  BUZ73ALXK
  SP000011375
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73L
  仓库库存编号：BUZ73LIN-ND
  别名：BUZ73L-ND
  BUZ73LIN
  BUZ73LX
  BUZ73LXK
  SP000011374
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 PG-TO-220-3
  
  型号：IPP21N03L G
  仓库库存编号：IPP21N03L G-ND
  别名：IPP21N03LGX
  IPP21N03LGXK
  SP000065079
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Ta） PG-TO251-3
  
  型号：IPS20N03L G
  仓库库存编号：IPS20N03L G-ND
  别名：IPS20N03LGX
  IPS20N03LGXK
  SP000064380
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Ta） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N08S2-07
  仓库库存编号：SPI100N08S2-07-ND
  别名：SP000055687
  SPI100N08S207
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP372L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP372L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP372L6327
  BSP372L6327INCT
  BSP372L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP373L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP373L6327INCT
  BSP373L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Ta） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833CPBF
  仓库库存编号：IRLR7833CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 36A（Ta） D-Pak
  
  型号：IRLR2905CPBF
  仓库库存编号：IRLR2905CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 14.5A（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7809PBF
  仓库库存编号：IRF7809PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Ta） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833CTRLPBF
  仓库库存编号：IRLR7833CTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Ta） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833CTRRPBF
  仓库库存编号：IRLR7833CTRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002T,215
  仓库库存编号：2N7002T,215-ND
  别名：2N7002T T/R
  2N7002T T/R-ND
  934055796215
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH2030AL,115
  仓库库存编号：PH2030AL,115-ND
  别名：934062275115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 45A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7524-55,127
  仓库库存编号：BUK7524-55,127-ND
  别名：934045180127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 34A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9535-55,127
  仓库库存编号：BUK9535-55,127-ND
  别名：934050420127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7628-100A/C,118
  仓库库存编号：BUK7628-100A/C,118-ND
  别名：934060683118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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