产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 34A(Tc) 85W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9635-55,118
仓库库存编号:
BUK9635-55,118-ND
别名:934050500118
BUK9635-55 /T3
BUK9635-55 /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 53A(Tc) 138W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7523-75A,127
仓库库存编号:
BUK7523-75A,127-ND
别名:934056480127
BUK7523-75A
BUK7523-75A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 106W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7524-55A,127
仓库库存编号:
BUK7524-55A,127-ND
别名:934056280127
BUK7524-55A
BUK7524-55A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 47A(Tc) 106W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7624-55A,118
仓库库存编号:
BUK7624-55A,118-ND
别名:934056286118
BUK7624-55A /T3
BUK7624-55A /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7628-55A,118
仓库库存编号:
BUK7628-55A,118-ND
别名:934056268118
BUK7628-55A /T3
BUK7628-55A /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 66A(Tc) 138W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9516-55A,127
仓库库存编号:
568-9735-5-ND
别名:568-9735-5
934056022127
BUK9516-55A
BUK9516-55A,127-ND
BUK9516-55A-ND
BUK951655A127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 40A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9528-55A,127
仓库库存编号:
BUK9528-55A,127-ND
别名:934056256127
BUK9528-55A
BUK9528-55A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 13A(Tc) 53W(Tc) D2PAK
型号:
BUK96150-55A,118
仓库库存编号:
BUK96150-55A,118-ND
别名:934056271118
BUK96150-55A /T3
BUK96150-55A /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 300mA(Tc) 830mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000,126
仓库库存编号:
2N7000,126-ND
别名:2N7000 AMO
2N7000 AMO-ND
934003460126
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298 E6327
仓库库存编号:
BSP298 E6327-ND
别名:BSP298E6327T
SP000011109
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP298L6327HUSA1TR-ND
别名:BSP298 L6327
BSP298 L6327-ND
BSP298L6327XT
SP000088258
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299 E6327
仓库库存编号:
BSP299 E6327-ND
别名:BSP299E6327T
SP000011110
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300 E6327
仓库库存编号:
BSP300 E6327-ND
别名:BSP300E6327T
SP000011111
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP300L6327HUSA1TR-ND
别名:BSP300 L6327
BSP300 L6327-ND
BSP300L6327XT
SP000089201
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372 E6327
仓库库存编号:
BSP372 E6327-ND
别名:BSP372E6327T
SP000011120
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373 E6327
仓库库存编号:
BSP373 E6327-ND
别名:BSP373E6327T
SP000011121
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110NKSA1
仓库库存编号:
BTS110NKSA1-ND
别名:BTS110
BTS110-ND
SP000011184
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110E3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS110E3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS110 E3045A
BTS110 E3045A-ND
BTS110E3045AT
SP000011183
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113ANKSA1
仓库库存编号:
BTS113ANKSA1-ND
别名:BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113AE3064NKSA1
仓库库存编号:
BTS113AE3064NKSA1-ND
别名:BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31
仓库库存编号:
BUZ31IN-ND
别名:BUZ31-ND
BUZ31IN
BUZ31X
BUZ31XK
SP000011341
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) TO-263
型号:
BUZ31 E3045A
仓库库存编号:
BUZ31 E3045A-ND
别名:BUZ31E3045AT
SP000011343
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31 E3046
仓库库存编号:
BUZ31 E3046-ND
别名:BUZ31E3046X
BUZ31E3046XK
SP000011344
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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