以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 7.5A（Tc） 8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK9880-55,135
  仓库库存编号：568-12236-1-ND
  别名：568-11880-1
  568-11880-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1518-E
  仓库库存编号：2SK1518-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2025
  仓库库存编号：917-1125-1-ND
  别名：917-1125-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA (Ta) 300mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N48FU,RF(D
  仓库库存编号：SSM6N48FURF(D-ND
  别名：SSM6N48FURF(D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  P CHANNEL MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3
  
  型号：JAN2N6898
  仓库库存编号：JAN2N6898-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  P CHANNEL MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTX2N6898
  仓库库存编号：JANTX2N6898-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  P CHANNEL MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTXV2N6898
  仓库库存编号：JANTXV2N6898-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V SOT-223
  
  型号：ZXMP6A16GTA
  仓库库存编号：ZXMP6A16GTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23
  详细描述：N 沟道 60V 650mA（Ta） 1.4W（Ta）
  
  型号：AO3460L
  仓库库存编号：AO3460L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Ta） SUPER D2-PAK
  
  型号：IRFBL3315
  仓库库存编号：IRFBL3315-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.9A 3W Surface Mount 16-FlipFet?
  
  型号：IRF6150
  仓库库存编号：IRF6150CT-ND
  别名：*IRF6150
  IRF6150CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
  
  型号：IRF3314STRR
  仓库库存编号：IRF3314STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
  
  型号：IRF7423TR
  仓库库存编号：IRF7423TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
  
  型号：IRF7426TR
  仓库库存编号：IRF7426TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET
  详细描述：MOSFET
  
  型号：IRFC2604B
  仓库库存编号：IRFC2604B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ30A
  仓库库存编号：BUZ30AIN-ND
  别名：BUZ30AIN
  BUZ30AX
  BUZ30AXK
  BUZ30AXTIN
  BUZ30AXTIN-ND
  SP000011336
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73
  仓库库存编号：BUZ73IN-ND
  别名：BUZ73IN
  BUZ73X
  BUZ73XK
  BUZ73XTIN
  BUZ73XTIN-ND
  SP000011372
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUZ80A
  仓库库存编号：BUZ80AIN-ND
  别名：BUZ80AIN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 15.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS115ANKSA1
  仓库库存编号：BTS115ANKSA1-ND
  别名：BTS115A
  BTS115AIN
  BTS115AIN-ND
  SP000011193
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 22A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BTS121ANKSA1
  仓库库存编号：BTS121ANKSA1-ND
  别名：BTS121A
  BTS121AIN
  BTS121AIN-ND
  SP000011200
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V
  
  型号：IRFL4310PBF
  仓库库存编号：IRFL4310PBFCT-ND
  别名：64-8037PBFCT
  64-8037PBFCT-ND
  648037PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108,126
  仓库库存编号：BS108,126-ND
  别名：934003840126
  BS108 AMO
  BS108 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108/01,126
  仓库库存编号：BS108/01,126-ND
  别名：934009850126
  BS108/01 AMO
  BS108/01 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254,126
  仓库库存编号：BSN254,126-ND
  别名：934004930126
  BSN254 AMO
  BSN254 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254A,126
  仓库库存编号：BSN254A,126-ND
  别名：934003960126
  BSN254A AMO
  BSN254A AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索