产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1912)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(384)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(1528)
筛选品牌
Advanced Linear Devices Inc.(125)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(5)
Central Semiconductor Corp(2)
Comchip Technology(1)
Cree/Wolfspeed(1)
Diodes Incorporated(357)
EPC(4)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(50)
GeneSiC Semiconductor(27)
Infineon Technologies(98)
IXYS(129)
IXYS Integrated Circuits Division(19)
Micro Commercial Co(15)
Microchip Technology(187)
Microsemi Corporation(26)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
Nexperia USA Inc.(106)
NXP USA Inc.(84)
ON Semiconductor(167)
Panasonic Electronic Components(95)
Renesas Electronics America(23)
Rohm Semiconductor(117)
Sanken(54)
Skyworks Solutions Inc.(1)
STMicroelectronics(41)
Torex Semiconductor Ltd(13)
Toshiba Semiconductor and Storage(90)
TT Electronics/Optek Technology(6)
Vishay Siliconix(64)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTX02
仓库库存编号：
2N6660JTX02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXL02
仓库库存编号：
2N6660JTXL02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXP02
仓库库存编号：
2N6660JTXP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXV02
仓库库存编号：
2N6660JTXV02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661
仓库库存编号：
2N6661-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661-2
仓库库存编号：
2N6661-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661-E3
仓库库存编号：
2N6661-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JAN02
仓库库存编号：
2N6661JAN02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTVP02
仓库库存编号：
2N6661JTVP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTX02
仓库库存编号：
2N6661JTX02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXL02
仓库库存编号：
2N6661JTXL02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXP02
仓库库存编号：
2N6661JTXP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXV02
仓库库存编号：
2N6661JTXV02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163
仓库库存编号：
3N163-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163-2
仓库库存编号：
3N163-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163-E3
仓库库存编号：
3N163-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF
详细描述：通孔 P 沟道 30V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N164
仓库库存编号：
3N164-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
详细描述：P 沟道 30V 320mA（Ta）
型号：
VP0300B-E3
仓库库存编号：
VP0300B-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述：通孔 P 沟道 80V 880mA（Ta） 6.25W（Ta） TO-39
型号：
VP0808B
仓库库存编号：
VP0808B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述：通孔 P 沟道 80V 880mA（Ta） 6.25W（Ta） TO-39
型号：
VP0808B-2
仓库库存编号：
VP0808B-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述：通孔 P 沟道 80V 880mA（Ta） 6.25W（Ta） TO-39
型号：
VP0808B-E3
仓库库存编号：
VP0808B-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
详细描述：通孔 P 沟道 100V 790mA（Ta） 6.25W（Ta） TO-39
型号：
VP1008B
仓库库存编号：
VP1008B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号：
VQ1001P
仓库库存编号：
VQ1001P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号：
VQ1001P-2
仓库库存编号：
VQ1001P-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号：
VQ1001P-E3
仓库库存编号：
VQ1001P-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
无铅
搜索
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
