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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1340-E
  仓库库存编号：2SK1340-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1341-E
  仓库库存编号：2SK1341-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 8A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1342-E
  仓库库存编号：2SK1342-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 8A（Ta） 60W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1775-E
  仓库库存编号：2SK1775-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Ta） 60W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1859-E
  仓库库存编号：2SK1859-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2A（Ta） 50W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：2SK2225-E
  仓库库存编号：2SK2225-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Ta） 41.7W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK5030DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK5030DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3A（Ta） 40.3W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK5031DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK5031DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220
  详细描述：MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220
  
  型号：RJK5034DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5034DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
  
  型号：HN4K03JUTE85LF
  仓库库存编号：HN4K03JUTE85LFCT-ND
  别名：HN4K03JUTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J14TTE85LF
  仓库库存编号：SSM3J14TTE85LFCT-ND
  别名：SSM3J14TTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N16FUTE85LF
  仓库库存编号：SSM6N16FUTE85LFCT-ND
  别名：SSM6N16FUTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSM
  
  型号：2SK2035(T5L,F,T)
  仓库库存编号：2SK2035(T5LFT)CT-ND
  别名：2SK2035(T5LFT)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K01T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K01T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K01T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K309T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K309T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K309T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 500mA 500mW Surface Mount UF6
  
  型号：SSM6L11TU(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM6L11TU(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM6L11TU(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole
  
  型号：JAN2N7335
  仓库库存编号：JAN2N7335-ND
  别名：JAN2N7335-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
  
  型号：JANTX2N7335
  仓库库存编号：JANTX2N7335-ND
  别名：JANTX2N7335-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
  
  型号：JANTXV2N7335
  仓库库存编号：JANTXV2N7335-ND
  别名：JANTXV2N7335-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
  
  型号：2N7335
  仓库库存编号：2N7335-ND
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 8A SC-74
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN15UN,115
  仓库库存编号：568-10795-1-ND
  别名：568-10795-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 3DFN
  详细描述：MOSFET 3DFN
  
  型号：PMZ290UNYL
  仓库库存编号：568-10839-1-ND
  别名：568-10839-1
  PMZ290UN,315
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660-2
  仓库库存编号：2N6660-2-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660-E3
  仓库库存编号：2N6660-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTVP02
  仓库库存编号：2N6660JTVP02-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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