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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 215mA（Ta） 280mW（Ta） SOT-723
  
  型号：NTK3142PT1G
  仓库库存编号：NTK3142PT1GOSCT-ND
  别名：NTK3142PT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 150mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2222LLRLRAG
  仓库库存编号：VN2222LLRLRAGOSCT-ND
  别名：VN2222LLRLRAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 240V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2410LZL1G
  仓库库存编号：VN2410LZL1GOSCT-ND
  别名：VN2410LZL1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 340mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002K,215
  仓库库存编号：568-4984-1-ND
  别名：568-4984-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V .5A CST4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 500mA（Ta） 400mW（Ta） CST4（1.2x0.8）
  
  型号：SSM4K27CT(TPL3)
  仓库库存编号：SSM4K27CTTPL3CT-ND
  别名：SSM4K27CT(TPL3)CT
  SSM4K27CT(TPL3)CT-ND
  SSM4K27CTTPL3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 4A UF6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 500mW（Ta） UF6
  
  型号：SSM6J51TUTE85LF
  仓库库存编号：SSM6J51TUTE85LFCT-ND
  别名：SSM6J51TU(TE85LF)CT
  SSM6J51TU(TE85LF)CT-ND
  SSM6J51TUTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA 140mW Surface Mount CST6D
  
  型号：SSM6N37CTD(TPL3)
  仓库库存编号：SSM6N37CTD(TPL3)CT-ND
  别名：SSM6N37CTD(TPL3)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6N7002BFE(T5L,F
  仓库库存编号：SSM6N7002BFE(T5LFCT-ND
  别名：SSM6N7002BFE(T5LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N7002BFU(T5L,F
  仓库库存编号：SSM6N7002BFU(T5LFCT-ND
  别名：SSM6N7002BFU(T5LFCT
  SSM6N7002BFULF(TCT
  SSM6N7002BFULF(TCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6P15FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM6P15FE(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM6P15FE(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 28SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 28-SO
  
  型号：BUK9GTHP-55PJTR,51
  仓库库存编号：BUK9GTHP-55PJTR,51-ND
  别名：934061028518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V Surface Mount 20-SO
  
  型号：BUK9MJT-55PRF,518
  仓库库存编号：BUK9MJT-55PRF,518-ND
  别名：934061029518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NVMS10P02R2G
  仓库库存编号：NVMS10P02R2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3K106TU(TE85L)
  仓库库存编号：SSM3K106TU(TE85L)CT-ND
  别名：SSM3K106TU(TE85L)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100mA（Ta） 200mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K15FS,LF
  仓库库存编号：SSM3K15FSLFCT-ND
  别名：SSM3K15FS(T5LFT)CT
  SSM3K15FS(T5LFT)CT-ND
  SSM3K15FS(TE85LF)CT
  SSM3K15FS(TE85LF)CT-ND
  SSM3K15FSLFCT
  SSM3K15FST5LFTCT
  SSM3K15FST5LFTCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J108TU(TE85L)
  仓库库存编号：SSM3J108TU(TE85L)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS080N05FU6TB
  仓库库存编号：RSS080N05FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta） 8-SOIC
  
  型号：RRS090P03TB1
  仓库库存编号：RRS090P03TB1-ND
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.65A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 650mA（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3460
  仓库库存编号：785-1194-1-ND
  别名：785-1194-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD040N25TL
  仓库库存编号：RCD040N25TLCT-ND
  别名：RCD040N25TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 30V 50A NFETU8FL
  详细描述：MOSFET 30V 50A NFETU8FL
  
  型号：NTTFSC4823NTAG
  仓库库存编号：NTTFSC4823NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 60V 12A 196
  详细描述：MOSFET 60V 12A 196
  
  型号：NVTP2955G
  仓库库存编号：NVTP2955G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 30V 57A NFETU8FL
  详细描述：MOSFET 30V 57A NFETU8FL
  
  型号：NTTFSC4821NTAG
  仓库库存编号：NTTFSC4821NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4483EDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4483EDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount 6-SuperMiniMold
  
  型号：UPA672T-T1-A
  仓库库存编号：UPA672T-T1-ACT-ND
  别名：UPA672TT1A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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