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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 180A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA180N055T
  仓库库存编号：IXTA180N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 98A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 98A（Tc） 230W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA98N075T
  仓库库存编号：IXTA98N075T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 110A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC160N085T
  仓库库存编号：IXTC160N085T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V ISOPLUS 220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC180N055T
  仓库库存编号：IXTC180N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC180N10T
  仓库库存编号：IXTC180N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 120A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC230N085T
  仓库库存编号：IXTC230N085T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP180N055T
  仓库库存编号：IXTP180N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 75V 98A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 98A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP98N075T
  仓库库存编号：IXTP98N075T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 500mA（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU05N120
  仓库库存编号：IXTU05N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 100V 44A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 44A（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU44N10T
  仓库库存编号：IXTU44N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH ECO-PAC2
  详细描述：底座安装 N 沟道 ECO-PAC2
  
  型号：VMO40-05P1
  仓库库存编号：VMO40-05P1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH ECO-PAC2
  详细描述：底座安装 N 沟道 ECO-PAC2
  
  型号：VMO80-05P1
  仓库库存编号：VMO80-05P1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4483EDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4483EDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4483EDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.5A 1W Surface Mount 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8901EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8901EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8901EDB-T2-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 3.8A 1W Surface Mount 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8904EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8904EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8904EDB-T2-E1CT
  SI8904EDBT2E1
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 600mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN2170U-7
  仓库库存编号：DMN2170UDICT-ND
  别名：DMN2170U7
  DMN2170UDICT
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  
  型号：NTLJD2105LTBG
  仓库库存编号：NTLJD2105LTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V SOT-963
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 160mA, 140mA 125mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：NTUD3127CT5G
  仓库库存编号：NTUD3127CT5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 0.16A SOT-963
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 160mA 125mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：NTUD3128NT5G
  仓库库存编号：NTUD3128NT5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 0.14A SOT-963
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 140mA 125mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：NTUD3129PT5G
  仓库库存编号：NTUD3129PT5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS100N03TB1
  仓库库存编号：RRS100N03TB1CT-ND
  别名：RRS100N03TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
  
  型号：MTM867270LBF
  仓库库存编号：MTM867270LBFCT-ND
  别名：MTM867270LBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 120mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2120ASTZ
  仓库库存编号：ZVP2120ASCT-ND
  别名：ZVP2120ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 1.5W（Ta）
  
  型号：ZXMN0545FFTA
  仓库库存编号：ZXMN0545FFCT-ND
  别名：ZXMN0545FFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 100mA（Ta） 150mW（Ta） S迷你型3-F2
  
  型号：2SK3539G0L
  仓库库存编号：2SK3539G0LCT-ND
  别名：2SK3539G0LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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