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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 73A（Tc） 149W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9514-55A,127
  仓库库存编号：568-9734-5-ND
  别名：568-9734-5
  934055648127
  BUK9514-55A
  BUK9514-55A,127-ND
  BUK9514-55A-ND
  BUK951455A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9515-100A,127
  仓库库存编号：BUK9515-100A,127-ND
  别名：934055410127
  BUK9515-100A
  BUK9515-100A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 41A（Tc） 149W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9535-100A,127
  仓库库存编号：BUK9535-100A,127-ND
  别名：934055656127
  BUK9535-100A
  BUK9535-100A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 54A（Tc） 118W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7520-55A,127
  仓库库存编号：568-9807-5-ND
  别名：568-9807-5
  934056255127
  BUK7520-55A
  BUK7520-55A,127-ND
  BUK7520-55A-ND
  BUK752055A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7528-55A,127
  仓库库存编号：568-9799-5-ND
  别名：568-9799-5
  934056257127
  BUK7528-55A
  BUK7528-55A,127-ND
  BUK7528-55A-ND
  BUK752855A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7575-100A,127
  仓库库存编号：568-9776-5-ND
  别名：568-9776-5
  934056483127
  BUK7575-100A
  BUK7575-100A,127-ND
  BUK7575-100A-ND
  BUK7575100A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 20A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 20A（Tc） 62W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9575-55A,127
  仓库库存编号：568-12103-5-ND
  别名：568-12103-ND
  934056258127
  BUK9575-55A
  BUK9575-55A,127-ND
  BUK9575-55A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA8PN50P
  仓库库存编号：IXTA8PN50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.2A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMJ1027P
  仓库库存编号：FDMJ1027P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SJ162-E
  仓库库存编号：2SJ162-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1058-E
  仓库库存编号：2SK1058-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 8A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK2221-E
  仓库库存编号：2SK2221-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1W（Ta） UPAK
  
  型号：2SK2315TYTR-E
  仓库库存编号：2SK2315TYTR-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 15A（Ta） 50W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：HAF1002-90STL-E
  仓库库存编号：HAF1002-90STL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 3W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：HAT2038R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2038R-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS107ARL1
  仓库库存编号：BS107ARL1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS107ARL1G
  仓库库存编号：BS107ARL1GOSCT-ND
  别名：BS107ARL1G-ND
  BS107ARL1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS107G
  仓库库存编号：BS107GOS-ND
  别名：BS107G-ND
  BS107GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 500mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS170RLRP
  仓库库存编号：BS170RLRP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 154mA（Tj） 300mW（Tj） SC-75，SOT-416
  
  型号：NTA7002NT1
  仓库库存编号：NTA7002NT1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJD1155LT1
  仓库库存编号：NTJD1155LT1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 150mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2222LLRLRA
  仓库库存编号：VN2222LLRLRA-ND
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMN5L06VAK-7
  仓库库存编号：DMN5L06VAKDICT-ND
  别名：DMN5L06VAKDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 320A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN320N10T
  仓库库存编号：IXTN320N10T-ND
  别名：IXTH320N10T
  Q3347867
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC10N80P
  仓库库存编号：IXFC10N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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