产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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分立半导体产品
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 3W(Ta),100W(Tc) TOP-3F-A1
型号:
2SK3318
仓库库存编号:
2SK3318-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2A(Tc) 1W(Ta),10W(Tc) U-G2
型号:
2SJ058200L
仓库库存编号:
2SJ058200LCT-ND
别名:2SJ058200LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSS迷你型3-F1
型号:
2SJ067400L
仓库库存编号:
2SJ067400LCT-ND
别名:2SJ067400LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) S迷你型3-G1
型号:
2SK066400L
仓库库存编号:
2SK066400LCT-ND
别名:2SK066400LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) S迷你型3-G1
型号:
2SK066500L
仓库库存编号:
2SK066500LCT-ND
别名:2SK066500LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 50mA(Ta) 150mW(Ta) S迷你型3-G1
型号:
2SK137400L
仓库库存编号:
2SK137400LCT-ND
别名:2SK137400LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 5A UG-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 5A(Tc) 1W(Ta),10W(Tc) U-G2
型号:
2SK302200L
仓库库存编号:
2SK302200LCT-ND
别名:2SK302200LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 4A(Ta) 500mW(Ta) S迷你型3-G1
型号:
MTM231100L
仓库库存编号:
MTM231100LCT-ND
别名:MTM231100LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 3A SMINI-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 500mW(Ta) S迷你型3-G1
型号:
MTM231230L
仓库库存编号:
MTM231230LCT-ND
别名:MTM231230LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 4.5A SMINI-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.5A(Ta) 500mW(Ta) S迷你型3-G1
型号:
MTM232230L
仓库库存编号:
MTM232230LCT-ND
别名:MTM232230LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini5-G1
型号:
XN0187200L
仓库库存编号:
XN0187200LCT-ND
别名:XN0187200LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 500mA(Ta) 830mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS170_L34Z
仓库库存编号:
BS170_L34Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002_L99Z
仓库库存编号:
2N7002_L99Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002_S00Z
仓库库存编号:
2N7002_S00Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V Surface Mount SC-70-6
型号:
FDG6314P
仓库库存编号:
FDG6314P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
2N7002TC
仓库库存编号:
2N7002TC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120mA(Ta) 500mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS107PSTOA
仓库库存编号:
BS107PSTOA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120mA(Ta) 500mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS107PSTOB
仓库库存编号:
BS107PSTOB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120mA(Ta) 500mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS107PSTZ
仓库库存编号:
BS107PSTZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS170PSTOA
仓库库存编号:
BS170PSTOA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS170PSTOB
仓库库存编号:
BS170PSTOB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 45V 230mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS250PSTOB
仓库库存编号:
BS250PSTOB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 45V 230mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS250PSTZ
仓库库存编号:
BS250PSTZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
VN10LPSTOA
仓库库存编号:
VN10LPSTOACT-ND
别名:VN10LPSTOA-ND
VN10LPSTOACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
VN10LPSTOB
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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