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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXM66N02N8TA
  仓库库存编号：ZXM66N02N8DKR-ND
  别名：ZXM66N02N8DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMD65N02N8TA
  仓库库存编号：ZXMD65N02N8DKR-ND
  别名：ZXMD65N02N8DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXM66N03N8TA
  仓库库存编号：ZXM66N03N8DKR-ND
  别名：ZXM66N03N8DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMD65N03N8TA
  仓库库存编号：ZXMD65N03N8DKR-ND
  别名：ZXMD65N03N8DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
  
  型号：ZXMN2A05N8TA
  仓库库存编号：ZXMN2A05N8DKR-ND
  别名：ZXMN2A05N8DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
  
  型号：ZXMN3A05N8TA
  仓库库存编号：ZXMN3A05N8DKR-ND
  别名：ZXMN3A05N8DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8-SO
  
  型号：ZXMN6A10N8TA
  仓库库存编号：ZXMN6A10N8DKR-ND
  别名：ZXMN6A10N8DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 100mA（Ta） 150mW（Ta） S迷你型3-G1
  
  型号：2SJ053600L
  仓库库存编号：2SJ053600LCT-ND
  别名：2SJ053600LCT
  2SJ0536CT
  2SJ0536CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 100mA（Ta） 150mW（Ta） S迷你型3-G1
  
  型号：2SK353900L
  仓库库存编号：2SK353900LCT-ND
  别名：2SK353900LCT
  2SK3539CT
  2SK3539CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET 2N-CH 50V 0.1A S-MINI-6P
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMINI6-G1
  
  型号：XP0487800L
  仓库库存编号：XP0487800LCT-ND
  别名：XP0487800LCT
  XP04878CT
  XP04878CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100mA（Ta） 150mW（Ta） S迷你型3-G1
  
  型号：2SK306400L
  仓库库存编号：2SK306400LCT-ND
  别名：2SK306400LCT
  2SK3064CT
  2SK3064CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：BSS138DW-7
  仓库库存编号：BSS138DWDICT-ND
  别名：BSS138DW7
  BSS138DWDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS138W-7
  仓库库存编号：BSS138WDICT-ND
  别名：BSS138W7
  BSS138WDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 130mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS84W-7
  仓库库存编号：BSS84WDICT-ND
  别名：BSS84W7
  BSS84WDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 50mA（Ta） 150mW（Ta） 迷你型3-G1
  
  型号：2SK122800L
  仓库库存编号：2SK122800LCT-ND
  别名：2SK122800LCT
  2SK1228CT
  2SK1228CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
  
  型号：IRF3314STRL
  仓库库存编号：IRF3314STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 50V TO-220-3
  
  型号：IRFIZ46G
  仓库库存编号：IRFIZ46G-ND
  别名：*IRFIZ46G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V SOT-223
  
  型号：IRLL1503TR
  仓库库存编号：IRLL1503TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 1.6A（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL1905TR
  仓库库存编号：IRLL1905TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 2A（Tc） 25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP2N10L
  仓库库存编号：RFP2N10L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 500mA（Ta） 1W（Ta） M-A1
  
  型号：2SK0615
  仓库库存编号：2SK0615-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 500mA（Ta） 1W（Ta） 迷你型P3-F1
  
  型号：2SK060100L
  仓库库存编号：2SK060100LCT-ND
  别名：2SK060100LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Ta） 1W（Ta） 迷你型P3-F1
  
  型号：2SK221100L
  仓库库存编号：2SK221100LCT-ND
  别名：2SK221100LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 50V 130mA 300mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：BSS84DW-7
  仓库库存编号：BSS84DWDITR-ND
  别名：BSS84DWDITR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123-7
  仓库库存编号：BSS123DICT-ND
  别名：BSS1237
  BSS123DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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