产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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分立半导体产品
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 46A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 46A(Tc) 105W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9524-55A,127
仓库库存编号:
BUK9524-55A,127-ND
别名:934056281127
BUK9524-55A
BUK9524-55A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 400V 90mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN0540A
仓库库存编号:
ZVN0540A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
2N7002TA
仓库库存编号:
2N7002CT-ND
别名:2N7002CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 130mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS84TA
仓库库存编号:
BSS84ZXCT-ND
别名:BSS84ZX
BSS84ZXCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 200V 120mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP2120A
仓库库存编号:
ZVP2120A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 50V 175mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP4105A
仓库库存编号:
ZVP4105A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23-3
型号:
2N7002-7
仓库库存编号:
2N7002DITR-ND
别名:2N7002DI
2N7002DITR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 1A 2.75W Surface Mount SOT-223
型号:
ZDM4206NTA
仓库库存编号:
ZDM4206NCT-ND
别名:ZDM4206N
ZDM4206NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V SOT-23-6
型号:
ZXM63N02E6TA
仓库库存编号:
ZXM63N02E6DKR-ND
别名:ZXM63N02E6DKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 450V 7A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3044
仓库库存编号:
2SK3044-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3047
仓库库存编号:
2SK3047-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
2N7002W-7
仓库库存编号:
2N7002WDICT-ND
别名:2N7002W7
2N7002WDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 310mW Surface Mount SOT-363
型号:
2N7002DW-7
仓库库存编号:
2N7002DWDICT-ND
别名:2N7002DW7
2N7002DWDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 2.6A(Ta) TO-220-3
型号:
IRFI610G
仓库库存编号:
IRFI610G-ND
别名:*IRFI610G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 1.6A(Ta) TO-220-3
型号:
IRFI710G
仓库库存编号:
IRFI710G-ND
别名:*IRFI710G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1000V TO-220-3
型号:
IRFIBG20G
仓库库存编号:
IRFIBG20G-ND
别名:*IRFIBG20G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Ta) D2PAK
型号:
IRFL31N20D
仓库库存编号:
IRFL31N20D-ND
别名:*IRFL31N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V D-Pak
型号:
IRFR11N25D
仓库库存编号:
IRFR11N25D-ND
别名:*IRFR11N25D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D-Pak
型号:
IRFR24N10D
仓库库存编号:
IRFR24N10D-ND
别名:*IRFR24N10D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3310ASTOB
仓库库存编号:
ZVN3310ASTOB-ND
别名:Q1030741
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 250mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BS870-7
仓库库存编号:
BS870DICT-ND
别名:BS870
BS8707
BS870CT
BS870CT-ND
BS870DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138-7
仓库库存编号:
BSS138DICT-ND
别名:BSS1387
BSS138DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 130mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS84-7
仓库库存编号:
BSS84DICT-ND
别名:BSS847
BSS84DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 500mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
MMBF170-7
仓库库存编号:
MMBF170DICT-ND
别名:MMBF1707
MMBF170DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 600mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4206AVSTOA
仓库库存编号:
ZVN4206AVSTOA-ND
别名:Q1047114
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