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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFB30N120Q2
  仓库库存编号：IXFB30N120Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 58A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APL502B2G
  仓库库存编号：APL502B2G-ND
  别名：APL502B2GMI
  APL502B2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APL602B2G
  仓库库存编号：APL602B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
  
  型号：HCT802TXV
  仓库库存编号：HCT802TXV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APL602LG
  仓库库存编号：APL602LG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
  
  型号：HCT802TX
  仓库库存编号：HCT802TX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 109A (Tc) 480W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML202UM18R010T3AG
  仓库库存编号：APTML202UM18R010T3AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 154A (Tc) 480W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML102UM09R004T3AG
  仓库库存编号：APTML102UM09R004T3AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APL602J
  仓库库存编号：APL602J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
  详细描述：通孔 1700V 16A（Tc）（90°C） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA16JT17-247
  仓库库存编号：1242-1136-ND
  别名：1242-1136
  GA16JT17247
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 45A（Tc） 568W（Tc） SP1
  
  型号：APTML60U12R020T1AG
  仓库库存编号：APTML60U12R020T1AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 52A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 568W（Tc） SP1
  
  型号：APTML50UM90R020T1AG
  仓库库存编号：APTML50UM90R020T1AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 52A 568W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML502UM90R020T3AG
  仓库库存编号：APTML502UM90R020T3AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 45A 568W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML602U12R020T3AG
  仓库库存编号：APTML602U12R020T3AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 20A 520W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML1002U60R020T3AG
  仓库库存编号：APTML1002U60R020T3AG-ND
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.7KV 100A
  详细描述：通孔 1700V 100A（Tc） 583W（Tc） TO-247
  
  型号：GA50JT17-247
  仓库库存编号：1242-1247-ND
  别名：1242-1247
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 4A TO276
  详细描述：表面贴装 650V 4A（Tc）（165°C） 125W（Tc） TO-276
  
  型号：2N7636-GA
  仓库库存编号：1242-1147-ND
  别名：1242-1147
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 4A TO-257
  详细描述：通孔 650V 4A（Tc）（165°C） 47W（Tc） TO-257
  
  型号：2N7635-GA
  仓库库存编号：1242-1146-ND
  别名：1242-1146
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 8A TO276
  详细描述：表面贴装 650V 8A（Tc）（158°C） 200W（Tc） TO-276
  
  型号：2N7638-GA
  仓库库存编号：1242-1149-ND
  别名：1242-1149
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 7A TO-257
  详细描述：通孔 650V 7A（Tc）（165°C） 80W（Tc） TO-257
  
  型号：2N7637-GA
  仓库库存编号：1242-1148-ND
  别名：1242-1148
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 16A TO276
  详细描述：表面贴装 650V 16A（Tc）（155°C） 330W（Tc） TO-276
  
  型号：2N7640-GA
  仓库库存编号：1242-1151-ND
  别名：1242-1151
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 15A TO-257
  详细描述：通孔 650V 15A（Tc）（155°C） 172W（Tc） TO-257
  
  型号：2N7639-GA
  仓库库存编号：1242-1150-ND
  别名：1242-1150
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 600V 100A
  详细描述：通孔 600V 100A（Tc） 769W（Tc） TO-258
  
  型号：GA50JT06-258
  仓库库存编号：1242-1253-ND
  别名：1242-1253
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC014N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC014N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000454346
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC022N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC022N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000904026
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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